[發明專利]超薄晶圓的封裝方法

有效

• 申請號: 201710895810.1
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN107706120B
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 詹蘇庚;王紅;吳迪;劉天德;張鵬陽;唐葉新
• 申請（專利權）人: 深圳賽意法微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56
• 代理公司: 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;李睿

1.一種超薄晶圓的封裝方法，其特征在于，所述超薄晶圓為一體成型結構，所述超薄晶圓的厚度為50微米～100微米，包括：超薄晶圓本體和設置于所述超薄晶圓本體周向外緣的外環，所述外環的厚度大于所述超薄晶圓本體的厚度；外環的正面和超薄晶圓本體的正面平齊；外環的背面凸出于超薄晶圓本體的背面；

該超薄晶圓的封裝方法包括：

貼膜步驟：將超薄晶圓置于真空貼膜機中，同時預熱溫度至60℃，并在小于50毫巴(mbar)的大氣壓力條件下將底膜貼于超薄晶圓的背面，使超薄晶圓本體和外環均與底膜貼合；

切割步驟：切除外環，從超薄晶圓本體的正面進行切割，以切割出若干個芯片；

貼片封裝步驟：將切割形成的芯片從底膜上分離，并移至引線框架上進行封裝；所述將切割形成的芯片從底膜上分離包括：利用方形矩陣分布的頂針從超薄晶圓本體的背面隔著底膜將芯片頂起，同時利用吸嘴從超薄晶圓的正面將芯片吸起；所述吸嘴包括一吸附端，其端面的尺寸小于芯片的尺寸，該吸附端的端面中間位置設有十字交叉的凹部，該凹部的中心為真空吸孔，吸嘴的吸附端朝向超薄晶圓本體正面并使該凹部形成真空腔從而將芯片吸起。

2.如權利要求1所述的超薄晶圓的封裝方法，其特征在于，所述底膜為UV膜。

3.如權利要求1所述的超薄晶圓的封裝方法，其特征在于，在所述切除外環的步驟中，利用刀具沿所述超薄晶圓本體和外環連接的位置進行劃圓式切割；

其中，該刀具的金剛砂顆粒度為8.0微米±0.6微米，該刀具的轉速為30千轉/分鐘，刀具以每秒鐘移動角度為5°的速度進行切割。

4.如權利要求1所述的超薄晶圓的封裝方法，其特征在于，在所述切割步驟中，依次利用第一刀具和第二刀具對超薄晶圓本體進行切割：首先用第一刀具垂直于超薄晶圓本體的方向進行切進，并對超薄晶圓本體切進一預定深度；然后第二刀具同樣垂直于超薄晶圓本體，且第二刀具與第一刀具的進給方向相同并在第一刀具的切痕上繼續切進，直至切斷該超薄晶圓本體并停止于底膜中；其中，

第一刀具的厚度大于第二刀具的厚度以使第一刀具的切痕寬度大于第二刀具切痕的寬度，第一刀具的轉速為40千轉/分鐘～50千轉/分鐘(KRPM)，第二刀具的轉速為18千轉/分鐘～25千轉/分鐘(KRPM)。

5.如權利要求4所述的超薄晶圓的封裝方法，其特征在于，所述第一刀具的厚度為25微米～30微米，所述第二刀具的厚度為10微米～15微米；

所述第一刀具和第二刀具均由金剛砂制成，所述第一刀具所含的金剛砂顆粒度為3.0微米±0.4微米，所述第二刀具所含的金剛砂顆粒度為2.0微米±0.4微米。

6.如權利要求4所述的超薄晶圓的封裝方法，其特征在于，在所述切割步驟中還包括：第一刀具切進的深度為超薄晶圓本體總厚度的25％，第二刀具切進底膜的深度為底膜總厚度的30％。

7.如權利要求1所述的超薄晶圓的封裝方法，其特征在于，方形矩陣分布頂針的中心、芯片的中心以及吸嘴的中心均在一條直線上。