[發明專利]一種功率槽柵MOS型器件及制備方法

有效

• 申請號: 201710895324.X
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN107706230B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 楊同同;黃潤華;柏松
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種功率槽柵MOS型器件，其特征在于：包括凸字型外延層(3)，凸字型兩肩上方依次為電流擴散區域(8)和反向阻擋區域(7)；外延層上方依次外延生長阱區域(2)和源區域(1)，刻蝕阱區域(2)和源區域(1)得到柵槽，柵槽中依次生長柵氧化層(4)和柵極(5)；源區域(1)上方設置源極(9)，外延層下方設置漏極(6)；

嵌入的電流擴展區域(8)的摻雜濃度和深度及嵌入的反向阻斷區域(7)的摻雜濃度和深度使得在器件反向阻斷時，兩者構成的PN結穿通。

2.根據權利要求1所述的功率槽柵MOS型器件，其特征在于：嵌入的電流擴展區域(8)的導電類型和源區域(1)的導電類型為第一導電類型，嵌入的反向阻斷區域(7)的導電類型和阱區域(2)的導電類型為第二導電類型。

3.一種功率槽柵MOS型器件的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)制備具有嵌入的電流擴散區域和反向阻擋區域的外延層；

(2)外延層上方依次外延生長阱區域和源區域；

(3)刻蝕阱區域和源區域得到柵槽；

(4)在柵槽中生長柵氧化層，并在柵氧化層上方制作柵極；

(5)在源區上方制作源極，在外延層下方制作漏極。

4.根據權利要求3所述的功率槽柵MOS型器件的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)具體包括：

(1.1)刻蝕得到凸字型外延層；

(1.2)凸字型外延層的兩肩上外延生長電流擴散區域；

(1.3)凸字型外延層上方外延生長反向阻擋區域；

(1.4)進行平坦化。

5.根據權利要求3所述的功率槽柵MOS型器件的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)具體包括：

(1.1)外延層中通過掩膜注入嵌入的反向阻擋區域；

(1.2)外延層和反向阻擋區域之間通過掩膜注入嵌入的電流擴散區域。