[發明專利]像素結構、其制作方法以及使用其的顯示器

有效

• 申請號: 201710893892.6
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN107658318B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 陳發祥;林世亮;吳彥佑;王培筠
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京市立康律師事務所 11805
• 代理人: 梁揮;孟超

1.一種像素結構，其特征在于，包含：

一第一金屬層，設置于一基板上，并包含一保護部及一輔助部，其中該輔助部不與該保護部連接；

一半導體層，設置于該第一金屬層上，且該半導體層于該基板的垂直投影與該保護部于該基板的垂直投影至少部分重疊；

一隔離層，設置于該半導體層上，其中至少一第一通孔貫穿該隔離層；以及

一第二金屬層，設置于該隔離層上，并具有一第一連接部及一第二連接部，其中該第二連接部的至少一部分位于該第一通孔內，且該第一連接部于該基板的垂直投影與該半導體層于該基板的垂直投影至少部分重疊，而該第二連接部于該基板的垂直投影與該輔助部于該基板的垂直投影至少部分重疊。

2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，更包含：

一第三金屬層，設置于另一隔離層上，并具有一柵極部及至少一線路部，其中該柵極部于該基板的垂直投影與該半導體層于該基板的垂直投影至少部分重疊，而該線路部于該基板的垂直投影與該第二金屬層的該第二連接部于該基板的垂直投影至少部分重疊；以及

一介電層，覆蓋該第三金屬層，其中該至少一第一通孔貫穿該介電層與該另一隔離層，至少一第二通孔貫穿該介電層與該另一隔離層，且該第二金屬層的該第一連接部通過該第二通孔與該半導體層電性連接。

3.根據權利要求2所述的像素結構，其特征在于，至少一第三通孔貫穿該介電層，且該第二金屬層的該第二連接部通過該第三通孔與該第三金屬層的該線路部電性連接。

4.根據權利要求2所述的像素結構，其特征在于，更包含：

一緩沖層，設置于該第一金屬層與該半導體層之間，其中該至少一第一通孔貫穿該緩沖層、該介電層與該隔離層；以及

一第四金屬層，設置于該緩沖層與該半導體層之間，其中該第四金屬層于該基板的垂直投影與該半導體層于該基板的垂直投影至少部分重疊。

5.根據權利要求4所述的像素結構，其特征在于，該半導體層具有至少一源極部、至少一漏極部以及至少一通道部，其中該通道部于該基板的垂直投影與該第三金屬層的該柵極部于該基板的垂直投影以及該第四金屬層于該基板的垂直投影至少部分重疊。

6.根據權利要求4所述的像素結構，其特征在于，該保護部于該基板的垂直投影與該第四金屬層于該基板的垂直投影至少部分重疊。

7.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該第一通孔對應該基板的一彎折部。

8.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該輔助部與位于該第一通孔內的部分該第二連接部接觸。

9.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該第一金屬層的材料包含鉬。

10.一種顯示器，其特征在于，包含：

如權利要求1至9的任一項所述的像素結構；以及

一電路板，與該第二連接部電性連接。

11.一種像素結構的制作方法，其特征在于，包含：

形成一第一金屬層于一基板上，其中該第一金屬層包含一保護部及一輔助部，且該輔助部不與該保護部連接；

形成一主動元件于該第一金屬層上方，其中該保護部于該基板的垂直投影至少重疊于該主動元件的一通道部的一部分于該基板的垂直投影；

形成一介電層于該主動元件上；

去除位于該輔助部正上方的該介電層的一部分，其中該輔助部位于一預定彎折區；以及

對該預定彎折區進行一彎折步驟，以形成一彎折部，且該彎折部對應一通孔。

12.根據權利要求11所述的像素結構的制作方法，其特征在于，于去除位于該輔助部正上方的該介電層的該部分的步驟中，該輔助部的一部分被去除，使得該通孔的底部不與剩余的該輔助部重疊。