[發明專利]電子零件的制造裝置及電子零件的制造方法

有效

• 申請號: 201710893463.9
• 申請日: 2017-09-27
• 公開（公告）號: CN107946286B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 伊藤昭彥;加茂克尚;松中繁樹;藤田篤史
• 申請（專利權）人: 芝浦機械電子裝置株式會社
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L21/67;H01L21/56
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

1.一種電子零件的制造裝置，其為制造在利用密封材將元件密封的封裝體的頂面形成有膜厚Te為0.5μm～9μm的電磁波屏蔽膜的電子零件的制造裝置，且所述電子零件的制造裝置的特征在于具有：

研磨裝置，以使所述封裝體的頂面的粗糙度曲線要素的平均高度Rc與所述電磁波屏蔽膜的膜厚Te的關系成為Rc≤2Te的方式對所述封裝體的頂面進行研磨；

成膜裝置，在各個所述電子零件的封裝體的外表面通過濺射，以所述膜厚Te來形成所述電磁波屏蔽膜，

所述成膜裝置具有：

腔室，即為導入濺射氣體的容器；

搬運部，設置于所述腔室內，且以圓周軌跡對所述電子零件進行循環搬運；及

多個成膜處理部，具有通過濺射使成膜材料堆積于利用所述搬運部進行循環搬運的狀態的所述電子零件來進行成膜的濺射源，并且具有對利用所述濺射源將所述電子零件成膜的成膜位置進行劃分的劃分部，

且所述成膜裝置由所述多個成膜處理部中，以所述圓周軌跡中與通過在成膜中的成膜位置的軌跡長度相比，通過除成膜中的成膜位置以外的部分的軌跡長度更長的方式，使用所選擇的成膜處理部進行所述電磁波屏蔽膜的形成。

2.一種電子零件的制造裝置，其為制造在利用密封材將元件密封的封裝體的頂面形成有膜厚Te為0.5μm～9μm的電磁波屏蔽膜的電子零件的制造裝置，且所述電子零件的制造裝置的特征在于具有：

研磨裝置，以使利用所述密封材將多個元件密封的密封體的頂面的粗糙度曲線要素的平均高度Rc與所述電磁波屏蔽膜的膜厚Te的關系成為Rc≤2Te的方式對所述密封體的頂面進行研磨；

分離裝置，通過切斷所述密封體，使其分離為由密封材的封裝體將各元件密封的各個電子零件；及

成膜裝置，在所述各個電子零件的封裝體的外表面通過濺射，以所述膜厚Te來形成所述電磁波屏蔽膜，

所述成膜裝置具有：

腔室，即為導入濺射氣體的容器；

搬運部，設置于所述腔室內，且以圓周軌跡對所述電子零件進行循環搬運；及

多個成膜處理部，具有通過濺射使成膜材料堆積于利用所述搬運部進行循環搬運的狀態的所述電子零件來進行成膜的濺射源，并且具有對利用所述濺射源將所述電子零件成膜的成膜位置進行劃分的劃分部，

且所述成膜裝置由所述多個成膜處理部中，以所述圓周軌跡中與通過在成膜中的成膜位置的軌跡長度相比，通過除成膜中的成膜位置以外的部分的軌跡長度更長的方式，使用所選擇的成膜處理部進行所述電磁波屏蔽膜的形成。

3.根據權利要求1或2所述的電子零件的制造裝置，其特征在于：

所述多個成膜處理部包含與不同種類的成膜材料對應的濺射源，通過使每一種成膜材料選擇性堆積來形成包括多種成膜材料的層的所述電磁波屏蔽膜。

4.一種電子零件的制造方法，其為制造在利用密封材將元件密封的封裝體的頂面形成有膜厚Te為0.5μm～9μm的電磁波屏蔽膜的電子零件的制造方法，且所述電子零件的制造方法的特征在于：

利用研磨裝置以使所述封裝體的頂面的粗糙度曲線要素的平均高度Rc與所述電磁波屏蔽膜的膜厚Te的關系成為Rc≤2Te的方式對所述封裝體的頂面進行研磨，

利用成膜裝置在所述封裝體上通過濺射，以所述膜厚Te來形成所述電磁波屏蔽膜，

所述成膜裝置具有：

腔室，即為導入濺射氣體的容器；

搬運部，設置于所述腔室內，且以圓周軌跡對所述電子零件進行循環搬運；及

多個成膜處理部，具有通過濺射使成膜材料堆積于利用所述搬運部進行循環搬運的狀態的所述電子零件來進行成膜的濺射源，并且具有對利用所述濺射源將所述電子零件成膜的成膜位置進行劃分的劃分部，

且所述成膜裝置由所述多個成膜處理部中，以所述圓周軌跡中與通過在成膜中的成膜位置的軌跡長度相比，通過除成膜中的成膜位置以外的部分的軌跡長度更長的方式，使用所選擇的成膜處理部進行所述電磁波屏蔽膜的形成。