[發(fā)明專利]一種彎曲不敏感多模光纖

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710892807.4
• 申請(qǐng)日: 2017-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN109557610A
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣新力;李文濤;范艷層;錢本華;沈一春
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中天科技精密材料有限公司;江蘇中天科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G02B6/028
• 分類號(hào): G02B6/028;G02B6/02;G02B6/036
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 謝志為;唐芳芳

1.一種彎曲不敏感多模光纖，包括從內(nèi)向外依次設(shè)置的漸變層、平臺(tái)層以及凹陷包層，所述漸變層和所述平臺(tái)層共同構(gòu)成多模光纖芯層，所述漸變層的折射率剖面呈拋物線形，漸變層中心的折射率為n₀，所述平臺(tái)層的折射率為n₁，所述凹陷包層的折射率為n₂，其特征在于：所述漸變層中心的折射率差為0.0095～0.014，所述平臺(tái)層的折射率差為-0.002～0.003，所述凹陷包層的折射率差為-0.0065～-0.002。

2.如權(quán)利要求1所述的彎曲不敏感多模光纖，其特征在于：

所述漸變層的半徑R₁的范圍為22～32μm；

所述平臺(tái)層的半徑為R₂，所述平臺(tái)層的寬度R₂-R₁的范圍為0.5～5μm；

所述凹陷包層的半徑為R₃，所述凹陷包層的寬度R₃-R₂大于或等于20μm。

3.如權(quán)利要求1所述的彎曲不敏感多模光纖，其特征在于：所述漸變層以及所述平臺(tái)層均摻雜有GeO₂與P₂O₅或均摻雜有GeO₂與F，所述凹陷包層摻雜有F，其中摻雜物的摩爾濃度隨半徑變化，并按如下函數(shù)分布：

其中，M_r為所述摻雜物在距離所述漸變層中心軸的徑向距離r處的摩爾濃度，M₀為所述摻雜物在所述漸變層中心的摩爾濃度，M₁為所述摻雜物在所述漸變層邊界以及平臺(tái)層的摩爾濃度，M₂為所述摻雜物在所述凹陷包層的摩爾濃度，β為所述摻雜物的濃度分布參數(shù)。

4.如權(quán)利要求3所述的彎曲不敏感多模光纖，其特征在于，GeO₂在所述漸變層中心的摩爾濃度范圍為0～11.5％的，GeO₂在所述漸變層邊界以及所述平臺(tái)層的摩爾濃度范圍為0～3.5％，且GeO₂的濃度分布參數(shù)β_G的范圍為1.5～3。

5.如權(quán)利要求3所述的彎曲不敏感多模光纖，其特征在于，P₂O₅在所述纖漸變層中心的摩爾濃度范圍為0～10％，P₂O₅在所述漸變層邊界以及平臺(tái)層的摩爾濃度范圍為0～1％，且P₂O₅的濃度分布參數(shù)β_P的范圍為1.5～3。

6.如權(quán)利要求3所述的彎曲不敏感多模光纖，其特征在于，F(xiàn)在所述漸變層中心的摩爾濃度范圍為0～1％，F(xiàn)在所述漸變層邊界以及平臺(tái)層的摩爾濃度范圍為0～2.5％，且F的濃度分布參數(shù)β_F的范圍為3～5。

7.如權(quán)利要求3所述的彎曲不敏感多模光纖，其特征在于，F(xiàn)在所述凹陷包層的摩爾濃度范圍為1～6％。

8.如權(quán)利要求1所述的彎曲不敏感多模光纖，其特征在于，所述多模光纖還包括套設(shè)于所述凹陷包層上的外包包層，所述外包包層為純石英玻璃。

9.如權(quán)利要求8所述的彎曲不敏感多模光纖，其特征在于，所述外包包層的半徑的范圍為40～100μm。

10.如權(quán)利要求1所述的彎曲不敏感多模光纖，其特征在于，所述漸變層的折射率按如下函數(shù)分布：

其中，R₁為所述漸變層的半徑，折射率剖面分布參數(shù)α的范圍為1.7～2.2。