[發明專利]片體集中處理設備在審
| 申請號: | 201710892028.4 | 申請日: | 2017-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN107689403A | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發明(設計)人: | 李文;沈慶豐;喻雙喜;周浩;卓遠;陳定川 | 申請(專利權)人: | 無錫奧特維科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京路勝元知識產權代理事務所(特殊普通合伙)11669 | 代理人: | 路兆強,潘冰 |
| 地址: | 214028 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集中 處理 設備 | ||
技術領域
本發明總體而言涉及電池自動化生產線,具體而言,涉及一種片體集中處理設備。
背景技術
目前,電池的需求量越來越大,而在電池生產過程中,需要對硅片或電池片等進行規整、檢測和切割等工藝過程。但是,現有的硅片和電池片的規整、檢測和切割等工藝都是單獨進行,影響電池生產的自動化率,而且大大降低了電池生產的效率。另外,采用部分人工介入的工藝過程,不但大大降低了生產效率,而且還會導致安全問題和工作強度問題,并且隨著人工成本的提高,客觀上又抬升了電池生產的整體成本。
因此,如何提高硅片和電池片等的規整、檢測和切割的集成化和自動化水平,從而提高電池生產效率、降低人工成本并且避免出現安全問題,是業界急需解決的問題。
發明內容
本發明的一個主要目的在于克服上述現有技術的至少一種缺陷,提供一種集成化、自動化水平非常高的片體集中處理設備。
為實現上述發明目的,本發明采用如下技術方案:
一種片體集中處理設備,所述片體集中處理設備包括:
第一裝置,所述第一裝置用于對片體進行檢測;
第二裝置,所述第二裝置用于對所述第一裝置檢測合格后的片體進行切割;
第三裝置,所述第三裝置用于將所述第二裝置切割后的片體移出。
根據本發明的一實施方式,所述片體集中處理設備還包括第四裝置,所述第四裝置用于對片體進行規整;
所述第一裝置用于對所述第四裝置規整后的片體進行檢測。
根據本發明的一實施方式,所述片體集中處理設備還包括轉臺和搬運裝置,所述第四裝置、所述第一裝置、所述第二裝置和所述第三裝置依次環繞所述轉臺設置,所述搬運裝置用于在所述第四裝置、所述第一裝置、所述第二裝置和所述第三裝置之間移動片體。
根據本發明的一實施方式,所述搬運裝置包括四個承載臺,所述四個承載臺分別處于第一位置、第二位置、第三位置和第四位置,所述四個位置與所述四個裝置分別一一對應,所述轉臺帶動四個所述承載臺依次在所述四個位置間轉動,每個承載臺上設置有吸盤,所述吸盤用于將片體吸附在對應的承載臺上。
根據本發明的一實施方式,所述第四裝置包括規整平臺、推動板和阻擋板,所述規整平臺用于承載片體,所述推動板對應所述規整平臺的第一方向設置,用于推動片體在所述規整平臺上移動,所述阻擋板對應所述規整平臺的第二方向設置,用于限制片體在所述規整平臺上的移動位置,所述第二方向和所述第一方向相對。
根據本發明的一實施方式,所述規整平臺連接有導柱和伸縮缸,所述伸縮缸驅動所述規整平臺沿所述導柱上下伸縮,所述承載臺上設置有穿孔,所述規整平臺在規整片體時高出所述承載臺,在完成規整后穿過所述穿孔低于所述承載臺,使所述承載臺上規整后的片體在重力和所述承載臺上吸盤吸附力的作用下吸附于所述承載臺上。
根據本發明的一實施方式,所述第一裝置包括有上檢測相機和下檢測相機,所述上檢測相機和所述下檢測相機分別對應該處位置的所述承載臺的上下設置。
根據本發明的一實施方式,所述下檢測相機與所述承載臺的第二位置之間還設置有防塵玻璃。
根據本發明的一實施方式,所述第二裝置包括激光頭,所述激光頭用于對所述第一裝置檢測合格后的片體進行切割。
根據本發明的一實施方式,所述第三裝置包括旋轉下料機構,所述旋轉下料機構將位于所述第四位置處承載臺上的片體從所述片體集中處理設備移出。
由上述技術方案可知,本發明的片體集中處理設備的優點和積極效果在于:
本發明中,將第一裝置、第二裝置和第三裝置集中設置,并且自動完成對片體的檢測和切割,使得片體的檢測和切割集成化、自動化水平大大提高。
附圖說明
通過結合附圖考慮以下對本發明的優選實施例的詳細說明,本發明的各種目標、特征和優點將變得更加顯而易見。附圖僅為本發明的示范性圖解,并非一定是按比例繪制。在附圖中,同樣的附圖標記始終表示相同或類似的部件。其中:
圖1是一示例性實施例中示出的本發明片體集中處理設備的結構示意圖。
圖2是一示例性實施例中示出的本發明片體集中處理設備中第四裝置的結構示意圖。
圖3是一示例性實施例中示出的本發明片體集中處理設備中第一裝置的結構示意圖。
圖4是一示例性實施例中示出的本發明片體集中處理設備中第二裝置的結構示意圖。
圖5是一示例性實施例中示出的本發明片體集中處理設備中第三裝置的結構示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





