[發明專利]用于確定硅中的碳含量的方法和組件

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• 申請號: 201710891166.0
• 申請日: 2017-09-27
• 公開（公告）號: CN107870156A
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: N·G·加納戈納;M·耶利內克;H·厄夫內爾;H-J·舒爾策;W·舒斯特雷德爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G01N21/3563
• 分類號: G01N21/3563
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 侯鳴慧

1.用于確定硅樣品中的碳含量的方法，該方法包括如下步驟：

在硅樣品內部產生電活性的多原子絡合物，其中，每個多原子絡合物包括至少一個碳原子；

確定表明在硅樣品中產生的多原子絡合物的含量的量值；和

由所確定的量值來確定硅樣品中的碳含量。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，至少一個多原子絡合物、多個多原子絡合物或大多數多原子絡合物包括至少一個氧原子或多個氧原子。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述多原子絡合物的產生包括使碳原子從取代晶格位點移位到間隙晶格位點，

其中，必要時所述移位通過對硅樣品的粒子照射來實施，

其中，所述粒子必要時還包括質子和/或電子和/或中子和/或阿爾法粒子。

4.根據權利要求1至3之一所述的方法，其中，所述多原子絡合物的產生包括使硅樣品退火，

其中，必要時所述退火在約450℃至約520℃范圍內的溫度進行，此外必要時在約490℃的溫度進行。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述退火在約30分鐘至約7小時范圍內的時間段上進行，必要時在約1小時至約5小時范圍內的時間段上進行。

6.根據權利要求1至5之一所述的方法，其中，所述多原子絡合物中的至少一些多原子絡合物包括至少一個氫原子。

7.根據權利要求1至6之一所述的方法，其中，所述多原子絡合物中的至少一些多原子絡合物被配置為淺施主。

8.根據權利要求1至7之一所述的方法，其中，表明硅樣品中的多原子絡合物含量的所述量值的確定通過光譜方法實施，

其中，必要時所述光譜方法包括傅里葉變換紅外光譜法(FTIR)，

其中，此外必要時所述傅里葉變換紅外光譜法(FTIR)在約4K至約20K的范圍內的溫度實施，此外必要時在約10K的溫度實施。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，在確定表明多原子絡合物含量的所述量值期間，用可見光照射所述硅樣品。

10.根據權利要求8或9所述的方法，還包括：識別通過光譜方法得到的光譜中的至少一個特征峰。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，將表明硅樣品中的多原子絡合物含量的量值作為識別到的所述至少一個特征峰的高度和/或作為識別到的所述至少一個特征峰的積分面積來確定。

12.根據權利要求10和11所述的方法，其中，所述光譜方法包括識別多個特征峰并且將表明硅樣品中的多原子絡合物含量的量值作為所述多個特征峰的積分面積之和來確定。

13.根據權利要求1至12之一所述的方法，其中，使用校準曲線來確定硅樣品中的碳含量，該校準曲線將特定的碳含量配屬給所確定的表明硅樣品中的多原子絡合物含量的量值。

14.根據權利要求13所述的方法，

其中，根據要分析的硅樣品中的氧含量選擇校準曲線，

其中，必要時通過傅里葉變換紅外光譜法(FTIR)確定要分析的硅樣品中的氧含量，

其中，進一步必要時，通過在室溫下進行的傅里葉變換紅外光譜法(FTIR)來確定氧含量。

15.根據權利要求1至14之一所述的方法，其中，所述硅樣品通過切克勞斯基法、必要時通過磁性切克勞斯基法生長。

16.用于確定硅樣品中的碳含量的測量組件，其中，該測量組件包括如下部分：

用于多原子絡合物的產生單元，所述產生單元被配置為，在硅樣品內部產生電活性的多原子絡合物，其中，每個多原子絡合物包括至少一個碳原子；

第一確定單元，所述第一確定單元被配置為，確定表明硅樣品中的多原子絡合物含量的量值；和

第二確定單元，所述第二確定單元被配置為，根據所確定的量值來確定所述硅樣品中的碳含量。

17.根據權利要求16所述的測量組件，其中，至少一個多原子絡合物、多個多原子絡合物或大多數多原子絡合物包括至少一個氧原子或多個氧原子。