[發(fā)明專利]基于金錫雙面共晶鍵合的外延層轉(zhuǎn)移方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710891111.X | 申請日： | 2017-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN107749436A | 公開（公告）日： | 2018-03-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李國強;李潔 | 申請（專利權(quán)）人： | 佛山市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 廣州嘉權(quán)專利商標事務(wù)所有限公司44205 | 代理人： | 陳均欽 |
| 地址： | 528000 廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 雙面 共晶鍵合 外延 轉(zhuǎn)移 方法 | ||
1.基于金錫雙面共晶鍵合的外延層轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：清洗處理外延層，制備第一粘附層、鍵合層；外延層設(shè)置在生長襯底上，在所述外延層上依次蒸發(fā)Ti、Au、Sn、Au，其中Ti層為粘附層，Au/Sn/Au層的金屬疊層為鍵合層；
步驟2：在轉(zhuǎn)移硅襯底上依次蒸發(fā)Cr、Pt、Ti、Au、Sn、Au，其中Cr層為第二粘附層，Pt/Ti層為阻擋層，Au/Sn/Au層為鍵合層；
步驟3：利用等離子體清潔和氮氣槍吹掃過的生長襯底表面的鍵合層和轉(zhuǎn)移硅襯底表面的鍵合層，并且使生長襯底表面的鍵合層和轉(zhuǎn)移硅襯底表面的鍵合層貼緊，送入鍵合機夾具，使生產(chǎn)襯底上的鍵合層與轉(zhuǎn)移硅襯底上的鍵合層完成鍵合；
步驟4：剝離生長襯底，得到轉(zhuǎn)移后的外延層硅襯底材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中基于金錫雙面共晶鍵合的外延層轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，生長襯底為硅襯底，其剝離方法采用機械減薄與干法刻蝕結(jié)合的方法。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中基于金錫雙面共晶鍵合的外延層轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，生長襯底為藍寶石襯底，其剝離方法采用激光剝離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中基于金錫雙面共晶鍵合的外延層轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，生長襯底為高分子柔性襯底，其剝離方法采用溶液或紫外光照變性方法。
5.根據(jù)權(quán)利要求1中基于金錫雙面共晶鍵合的外延層轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，鍵合層中Au層和Sn層厚度范圍為100～300nm；所述鍵合層的總厚度≤3μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1中基于金錫雙面共晶鍵合的外延層轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，其鍵合條件為鍵合溫度為270～300℃，鍵合夾具壓力3000～4000mBar或8000～10000mBar，腔室壓力＜10-3mBar，保持時間為10min。
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