[發(fā)明專利]陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710890979.8
• 申請(qǐng)日: 2017-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN107505793B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孔祥建;樓騰剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板層；

觸控層，設(shè)置于所述基板層的一側(cè)，用于設(shè)置觸控電極，且所述觸控層采用透明導(dǎo)電材料制成；

第一絕緣層，設(shè)置于所述觸控層遠(yuǎn)離所述基板層的一側(cè)；以及

薄膜晶體管層，設(shè)置于所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述觸控層的一側(cè)，其中，所述薄膜晶體管層設(shè)置有薄膜晶體管、柵極線和數(shù)據(jù)線；

觸控走線，設(shè)置于所述薄膜晶體管層，與所述觸控電極電連接；

所述薄膜晶體管層包括：

第一金屬層，設(shè)置于所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述觸控層的一側(cè)，用于設(shè)置所述柵極線和所述薄膜晶體管的柵極；

第二絕緣層，設(shè)置于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述第一絕緣層的一側(cè)；

第二金屬層，設(shè)置于所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)，用于設(shè)置數(shù)據(jù)線和所述薄膜晶體管的源漏極；

觸控搭橋部，所述觸控搭橋部與所述觸控走線和所述觸控電極分別電連接；

所述陣列基板還包括：像素電極，所述像素電極與所述觸控搭橋部均位于像素電極層，所述像素電極層位于所述薄膜晶體管層遠(yuǎn)離所述第一絕緣層的一側(cè)，所述像素電極層與所述第二金屬層之間還設(shè)置有第三絕緣層；

所述觸控走線設(shè)置于所述第二金屬層，所述觸控搭橋部與所述觸控走線經(jīng)第二過(guò)孔連接，所述觸控搭橋部與所述觸控電極經(jīng)第三過(guò)孔連接，其中，所述第二過(guò)孔貫穿所述第三絕緣層，所述第三過(guò)孔貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第三絕緣層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述觸控走線通過(guò)第一過(guò)孔與所述觸控電極連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，

所述觸控走線設(shè)置于所述第一金屬層，所述第一過(guò)孔貫穿所述第一絕緣層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，

相鄰所述觸控電極之間的刻縫在所述第一金屬層上的正投影位于所述柵極線所在的區(qū)域內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，

所述觸控走線設(shè)置于所述第二金屬層，所述第一過(guò)孔貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

在顯示階段，所述觸控電極與所述像素電極形成存儲(chǔ)電容。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括：

彩膜基板；

液晶層，設(shè)置于所述彩膜基板的一側(cè)；

權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的陣列基板，設(shè)置于所述液晶層遠(yuǎn)離所述彩膜基板的一側(cè)。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括：

顯示模組，所述顯示模組包括彩膜基板、權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的陣列基板以及位于所述彩膜基板與所述陣列基板之間的液晶層；

背光模組，設(shè)置于所述彩膜基板遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)。