[發(fā)明專利]一種襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710890752.3 | 申請日： | 2017-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN107742664A | 公開（公告）日： | 2018-02-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄧游 | 申請（專利權(quán)）人： | 寶雞圭彬光電設(shè)備有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 西安弘理專利事務(wù)所61214 | 代理人： | 羅磊 |
| 地址： | 721013 陜西省寶*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 襯底 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
1.一種襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括襯底(1)、外延層(2)、電流擴展層(3)和電極(4)，外延層(2)置于襯底(1)之上，電流擴展層(3)置于外延層(2)之上，電極(4)置于電流擴展層(3)之上。
2.如權(quán)利要求1所述的一種襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底(1)材料為鎂鋁尖晶石。
3.如權(quán)利要求1所述的一種襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外延層(2)材料為氮化鎵。
4.如權(quán)利要求1所述的一種襯底結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：在襯底(1)上生長外延層(2)；
步驟2：在外延層(2)上生長電流擴展層(3)；
步驟3：在電流擴展層(3)上覆電極(4)。
5.如權(quán)利要求4所述的一種襯底結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟1中，利用氣相外延、液相外延或固相外延的方法在襯底(1)上生長外延層(2)，外延層(2)的厚度在1～10微米之間。
6.如權(quán)利要求4所述的一種襯底結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟2中，利用氣相外延、液相外延或固相外延的方法在外延層(2)上生長電流擴展層(3)，電流擴展層(3)的厚度在30～300納米之間。
7.如權(quán)利要求4所述的一種襯底結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟3中，電極(4)的厚度在500～600納米之間。
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