[發(fā)明專利]一種有機(jī)薄膜晶體管及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710890612.6
• 申請(qǐng)日: 2017-09-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107644936A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳發(fā)霖;陳若懷;李林;何基強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信利半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/05
• 分類號(hào): H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司44102
• 代理人: 鄧義華,廖苑濱

1.一種有機(jī)薄膜晶體管，所述有機(jī)薄膜晶體管具有由基板、源極、漏極、有源層、有機(jī)絕緣層、柵極構(gòu)成的頂柵結(jié)構(gòu)，所述有源層為有機(jī)半導(dǎo)體材料，其特征在于，所述柵極采用復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法為：（1）通過(guò)真空蒸鍍技術(shù)在所述有機(jī)絕緣層上沉積第一金屬層；（2）通過(guò)磁控濺射技術(shù)在所述第一金屬層上沉積第二金屬層；（3）通過(guò)磁控濺射技術(shù)在所述第二金屬層上沉積氧化阻隔層。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬層的材料為金屬鋁，所述第二金屬層的材料為金屬鋁，所述氧化阻隔層的材料為氧化銦錫或金屬鉬。

3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為900-1100埃，所述第二金屬層的厚度為900-1100埃，所述氧化阻隔層的厚度為400-600埃。

4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述有機(jī)半導(dǎo)體材料為有機(jī)小分子和有機(jī)聚合物的混合物。

5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的制備方法為：

（1）在有機(jī)溶劑中溶解有機(jī)小分子和有機(jī)聚合物，形成混合溶液，其中，有機(jī)小分子的質(zhì)量百分濃度為55-65%，有機(jī)聚合物的質(zhì)量百分濃度為25-35%；

（2）將上述混合溶液通過(guò)旋涂、刮涂或噴涂打印的方式涂布于所述基板上。

6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述有機(jī)小分子為2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩，所述有機(jī)聚合物為多并苯和三芳胺的聚合物，所述有機(jī)溶劑是丙二醇甲醚醋酸酯。

7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述有機(jī)絕緣層的材料為正癸烷，所述有機(jī)絕緣層的厚度為2800-3200埃。

8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的厚度為150-250埃，所述源極和漏極厚度為400-600埃。

9.如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，其包括如下步驟：

（1）提供一基板，在所述基板上通過(guò)磁控濺射技術(shù)形成第三金屬層，對(duì)所述第三金屬層進(jìn)行圖案化處理，以形成源極和漏極；

（2）在所述源極上、所述漏極上以及所述基板未被所述源極和所述漏極覆蓋的部分上依次形成有源層、有機(jī)絕緣層；

（3）通過(guò)真空蒸鍍技術(shù)在所述有機(jī)絕緣層上沉積第一金屬層；通過(guò)磁控濺射技術(shù)在所述第一金屬層上沉積第二金屬層；通過(guò)磁控濺射技術(shù)在所述第二金屬層上沉積氧化阻隔層，形成柵極的復(fù)合結(jié)構(gòu)；

（4）在所述氧化阻隔層上沉積光阻層，采用一道光罩制程對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光、顯影處理；

（5）通過(guò)干刻蝕制程對(duì)上述有源層、有機(jī)絕緣層和柵極進(jìn)行圖案化處理，形成有機(jī)薄膜晶體管器件。

10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，通過(guò)旋涂、刮涂或噴涂打印的方式制備所述有機(jī)絕緣層。