[發(fā)明專利]單晶襯底和微機(jī)械結(jié)構(gòu)的加工方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710890273.1 | 申請(qǐng)日： | 2017-09-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107867673A | 公開（公告）日： | 2018-04-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | A·布羅克邁爾;R·拉普;F·J·桑托斯羅德里奎茲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B81C1/00 | 分類號(hào)： | B81C1/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所11256 | 代理人： | 鄭立柱 |
| 地址： | 德國(guó)諾伊*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 襯底 微機(jī) 結(jié)構(gòu) 加工 方法 | ||
1.一種加工單晶的襯底(102)的方法，所述方法包括：
將所述襯底(102)沿著主處理側(cè)分割(100b)成單晶的至少兩個(gè)襯底子塊(102a，102b)；以及
形成(100c)微機(jī)械結(jié)構(gòu)(106)，所述微機(jī)械結(jié)構(gòu)(106)包括所述至少兩個(gè)襯底子塊(102a，102b)中的至少一個(gè)單晶襯底子塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中所述襯底(102)還包括目標(biāo)分離層(202)，所述兩個(gè)襯底子塊(102a，102b)借助所述目標(biāo)分離層(202)彼此連接；
其中所述分割(100b)通過去除所述目標(biāo)分離層(202)的結(jié)合來實(shí)現(xiàn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：
通過改變所述兩個(gè)襯底子塊(102a，102b)之間的化學(xué)成分來形成(200a，200c)所述目標(biāo)分離層(202)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，
其中所述襯底(102)在所述兩個(gè)襯底子塊(102a，102b)之間相對(duì)于所述分割(100b)的耐抗性通過所述改變被減小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，還包括：
在所述分割(100b)之前，將所述至少一個(gè)單晶襯底子塊固定(300a)到附加襯底(302)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，
其中所述固定(300a)包括將所述襯底(102)和所述附加襯底(302)彼此鍵合。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，
其中所述固定(300a)通過粘附層(304)來實(shí)現(xiàn)，所述粘附層(304)被布置在所述至少一個(gè)單晶襯底子塊和所述附加襯底(302)之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的方法，
其中所述附加襯底(302)具有電極(502)；或
其中借助所述至少一個(gè)單晶襯底子塊形成電極(502)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5至8中任一項(xiàng)所述的方法，
其中形成(100c)所述微機(jī)械結(jié)構(gòu)(106)包括形成附加電極(512)；并且
其中所述至少一個(gè)單晶襯底子塊被布置在所述附加電極(512)和所述附加襯底(302)之間；或
其中所述附加電極(512)通過所述至少一個(gè)單晶襯底子塊形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法，
其中形成(100c)所述微機(jī)械結(jié)構(gòu)(106)包括形成膜(408)或懸臂(410)，所述膜(408)或所述懸臂(410)包括所述至少一個(gè)單晶襯底子塊。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的方法，還包括：
借助離子注入來改變所述至少一個(gè)單晶襯底子塊的機(jī)械特性和/或電特性。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，
其中在所述分割(100b)之前進(jìn)行所述改變。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的方法，
其中所述至少兩個(gè)襯底子塊(102a，102b)包括三個(gè)襯底子塊；以及
其中所述微機(jī)械結(jié)構(gòu)(106)包括所述三個(gè)襯底子塊中的兩個(gè)襯底子塊(102a，102b)和/或其中所述方法還包括：
形成(100c)附加微機(jī)械結(jié)構(gòu)(116)，所述附加微機(jī)械結(jié)構(gòu)(116)具有所述三個(gè)襯底子塊中的另一襯底子塊。
14.一種用于加工襯底(102)的方法，所述襯底(102)包括單晶區(qū)域(104)，所述方法包括：
將所述單晶區(qū)域(104)分割(100b)成至少兩個(gè)子區(qū)域(104a，104b)；和
形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)(106)，所述微機(jī)械結(jié)構(gòu)(106)具有所述兩個(gè)子區(qū)域(104a，104b)中的至少一個(gè)子區(qū)域。
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