[發(fā)明專利]加快工藝腔室復(fù)機(jī)的清洗方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710889449.1
• 申請日: 2017-09-27
• 公開（公告）號: CN109559966B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李曉鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;姜春咸

本發(fā)明公開了一種加快工藝腔室復(fù)機(jī)的清洗方法。包括加熱工藝腔室，以使得工藝腔室內(nèi)的溫度符合清洗雜質(zhì)的預(yù)設(shè)溫度；延時(shí)第一預(yù)設(shè)時(shí)間后，對工藝腔室進(jìn)行初步抽真空；循環(huán)執(zhí)行快速清洗工藝腔室的流程；循環(huán)執(zhí)行深度清洗工藝腔室的流程，其中，循環(huán)執(zhí)行深度清洗工藝腔室的流程包括：控制通入工藝腔室內(nèi)的第一清洗氣體流量，使得第一清洗氣體流量符合預(yù)設(shè)第一清洗氣體流量，以對工藝腔室進(jìn)行深度清洗，和/或，控制通入工藝腔室內(nèi)的第一清洗氣體流速，使得第一清洗氣體流速符合預(yù)設(shè)第一清洗氣體流速，以對工藝腔室進(jìn)行深度清洗；執(zhí)行初始化工藝腔室的流程，以完成對工藝腔室的清洗。能夠有效縮短工藝腔室的復(fù)機(jī)時(shí)間，提高工藝腔室的清洗效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種加快工藝腔室復(fù)機(jī)的清洗方法。

背景技術(shù)

等離子體設(shè)備廣泛用于當(dāng)今的半導(dǎo)體、太陽能電池、平板顯示等制作工藝中。隨著工廠自動(dòng)化水平的提升，對生產(chǎn)線設(shè)備的自動(dòng)化程度和快速恢復(fù)能力也提出了越來越高的要求。在工藝腔室停機(jī)維護(hù)后，需要進(jìn)行一系列的恢復(fù)工藝腔室的操作，如果能夠使工藝腔室快速滿足工藝條件，可以大大縮短復(fù)機(jī)時(shí)間，提高產(chǎn)能，提升產(chǎn)品品質(zhì)，降低維護(hù)成本。

在刻蝕機(jī)工藝設(shè)備中，特別是對于IC(集成電路)制造工藝，需要保證工藝腔室很高的真空度和清潔度，以利于后續(xù)的刻蝕工藝的有效進(jìn)行，如果條件不滿足，進(jìn)行刻蝕后，晶片會(huì)出現(xiàn)污染，導(dǎo)致廢片，不但浪費(fèi)資源增加成本，而且降低了出片效率。因此在進(jìn)行刻蝕工作前必須保證工藝腔室有足夠真空度和潔凈度。

現(xiàn)有的工藝腔室的復(fù)機(jī)過程一般包括：首先利用分子泵對工藝腔室抽真空，工藝腔室在該階段會(huì)維持在一個(gè)擺閥打開，分子泵抽氣的狀態(tài)，即持續(xù)對腔室抽氣的狀態(tài)，這個(gè)狀態(tài)需要持續(xù)2-4小時(shí)。其次，對工藝腔室進(jìn)行循環(huán)充氣、抽氣，從而將雜質(zhì)帶出工藝腔室，達(dá)到清潔工藝腔室的目的。

但是，上述的復(fù)機(jī)過程中，由于對工藝腔室抽真空的階段耗時(shí)較長(約2-4小時(shí))，之后再對工藝腔室進(jìn)行清洗。因此，這會(huì)導(dǎo)致工藝腔室的復(fù)機(jī)時(shí)間大大延長，造成生產(chǎn)效率低下。另外，現(xiàn)有的復(fù)機(jī)過程中，每次充氣和抽氣通過打開進(jìn)氣閥門和快速抽氣閥門，這不能夠有效控制工藝腔室內(nèi)的清洗氣體流量。除此之外，充氣和抽氣是分開進(jìn)行的，減低了氣體的流動(dòng)、降低雜質(zhì)的清洗能力。

因此，如何設(shè)計(jì)一種能夠有效縮短工藝腔室復(fù)機(jī)的清洗方法成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種加快工藝腔室復(fù)機(jī)的清洗方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一方面，提供了一種加快工藝腔室復(fù)機(jī)的清洗方法，所述清洗方法包括：

步驟S110、執(zhí)行對所述工藝腔室進(jìn)行清洗前的準(zhǔn)備流程，包括：

步驟S111、加熱所述工藝腔室，以使得所述工藝腔室內(nèi)的溫度符合清洗雜質(zhì)的預(yù)設(shè)溫度；

步驟S112、延時(shí)第一預(yù)設(shè)時(shí)間后，對所述工藝腔室進(jìn)行初步抽真空；

步驟S120、循環(huán)執(zhí)行快速清洗所述工藝腔室的流程；

步驟S140、循環(huán)執(zhí)行深度清洗所述工藝腔室的流程，其中，所述循環(huán)執(zhí)行深度清洗所述工藝腔室的流程包括：

步驟S141、控制通入所述工藝腔室內(nèi)的第一清洗氣體流量，使得所述第一清洗氣體流量符合預(yù)設(shè)第一清洗氣體流量，以對所述工藝腔室進(jìn)行深度清洗，和/或，

步驟S142、控制通入所述工藝腔室內(nèi)的第一清洗氣體流速，使得所述第一清洗氣體流速符合預(yù)設(shè)第一清洗氣體流速，以對所述工藝腔室進(jìn)行深度清洗；

步驟S150、執(zhí)行初始化所述工藝腔室的流程，以完成對所述工藝腔室的清洗。

優(yōu)選地，所述對所述工藝腔室進(jìn)行初步抽真空的步驟包括：