[發(fā)明專利]CsCdPO4化合物、CsCdPO4非線性光學(xué)晶體及其制法和用途

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710889137.0
• 申請(qǐng)日: 2017-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN107792842B
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅軍華;沈耀國(guó);趙三根;趙炳卿;李先鋒;丁清然;李雁強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所
• 主分類號(hào): C01B25/45
• 分類號(hào): C01B25/45;C30B9/12;C30B29/14;G02F1/355
• 代理公司: 福州市眾韜專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35220
• 代理人: 方金芝;黃秀婷

1.CsCdPO₄非線性光學(xué)晶體，其特征在于：所述的CsCdPO₄非線性光學(xué)晶體不含對(duì)稱中心，屬于單斜晶系P2₁空間群。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CsCdPO₄非線性光學(xué)晶體，其特征在于：所述晶體的晶胞參數(shù)為a = 9.0589(4) ?，b = 5.6406(2) ?，c = 9.4634(4) ?，β= 90.244(4), V = 483.55(3)?³，Z = 4。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的CsCdPO₄非線性光學(xué)晶體的制備方法：

首先，將含Cs化合物、含Cd化合物和含P化合物以化學(xué)計(jì)量比均勻混合后，以10～200℃/小時(shí)的速率升溫到400～500 ℃，然后保溫?zé)Y(jié)12小時(shí)以上，降至室溫后取出研磨均勻，再以10～200 ℃/小時(shí)的速率升溫到500～1100 ℃燒結(jié)24小時(shí)以上，得CsCdPO₄原料；

然后，將助熔劑和所述的CsCdPO₄原料混合后置于晶體生長(zhǎng)爐中，升溫至700 ℃以上熔化成熔體，然后測(cè)試所述熔體的飽和溫度，接著將熔體降溫至飽和溫度5 ℃以上，然后緩慢降溫至600 ℃，隨后迅速降溫至室溫，即得CsCdPO₄非線性光學(xué)晶體；

所述助熔劑是由Cs₂O和P₂O₅按照摩爾比為0.5-2 : 0-2混合而成；

所述的助熔劑和所述的CsCdPO₄原料的摩爾比為1 : 0.1-5.5。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的CsCdPO₄非線性光學(xué)晶體的用途，其特征在于：所述的CsCdPO₄非線性光學(xué)晶體用作非線性光學(xué)器件使用。

5.一種非線性光學(xué)器件，其特征在于：包括根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的CsCdPO₄非線性光學(xué)晶體。