[發明專利]結構物

有效

• 申請號: 201710888647.6
• 申請日: 2017-09-27
• 公開（公告）號: CN108069717B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 蘆澤宏明;清原正勝
• 申請（專利權）人: TOTO株式會社
• 主分類號: C04B35/553
• 分類號: C04B35/553;C04B35/622;C04B35/624
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 周善來;王玉玲

本發明所要解決的技術課題在于提供可提高耐等離子體性的結構物。具體而言，在于提供如下結構物：以具有斜方晶的結晶結構的釔氧氟化物的多晶體為主成分，且所述多晶體中的平均結晶尺寸小于100nm，其特征在于，通過X射線衍射在衍射角2θ＝32.0°附近檢測到的峰值強度為γ，在衍射角2θ＝32.8°附近檢測到的峰值強度為δ時，峰值強度比γ/δ為0％以上、150％以下。

技術領域

本發明的方式通常涉及結構物。

背景技術

作為在半導體制造裝置等的等離子體照射環境下所使用的構件，可使用在其表面形成了耐等離子體性高的膜的構件。在膜上例如可使用氧化鋁(Al₂O₃)、氧化釔(Y₂O₃)等的氧化物或者氮化鋁(AlN)等的氮化物。

另一方面，在氧化物類陶瓷中伴隨著與CF類氣體的反應而引起的氟化，膜的體積膨脹并產生裂縫等，其結果引起顆粒的產生，對此提出了使用原本就被氟化的氟化釔(YF₃)等的氟化物類陶瓷(專利文獻1)。另外，還提出了由包含釔的氧氟化物、YF₃的顆粒構成的熔射材料、YF₃基料的耐等離子體涂層(專利文獻2、3)。

由于YF₃在例如1000℃～1100℃左右的高溫下分解，故而制作其燒成體時的燒成溫度例如可至800℃左右(專利文獻4)。然而，燒成溫度低時，充分提高密度存在困難。另外，燒成時產生的氟氣有毒，也存在安全性的問題。因此，可通過熔射等方法來制作YF₃的結構物。然而，在熔射中充分致密地制作包含YF₃的結構物存在困難，從而存在耐等離子體性差這樣的課題。

另外，還進行了可期待對于CF類等離子體及Cl類等離子體的兩者均有耐性的使用稀土類氧氟化物的研究。

例如，研究了將包含釔的氧氟化物的燒成體在真空、氮氣氣氛等非活性氣氛下燒成(專利文獻5、6)。在該方法中，通過在非活性氣氛下的燒成可抑制在所得到的燒成體中混入氧化釔(Y₂O₃)。然而，在燒成體中由于伴隨著燒結而粒子成長，從而結晶構成粒子變大，故而存在顆粒易于變大這樣的課題。

另外，例如還研究了以稀土類元素的氧氟化物作為原料來形成熔射膜(專利文獻7)。然而，在熔射中加熱時因大氣中的氧氣而發生氧化。因此，在所得到的熔射膜中混入Y₂O₃，從而組成的控制存在困難。另外，在熔射膜中依然存在致密性的課題。

另一方面，在專利文獻8中公開了關于Y₂O₃可通過氣溶膠沉積法在常溫下形成耐等離子體性的結構物。氣溶膠沉積法等通過機械沖擊進行的結構物的形成法可在常溫下制膜。因此，在氣溶膠沉積法中，不用擔心氟化物的熱分解，不會受到有毒的氟氣的影響，可安全地制作含有包含釔與氟的化合物的結構物。

專利文獻1：日本特開2013-140950號公報

專利文獻2：日本特開2014-009361號公報

專利文獻3：日本特開2016-076711號公報

專利文獻4：日本特開2003-146755號公報

專利文獻5：日本專利第4160224號公報

專利文獻6：日本專利第5911036號公報

專利文獻7：日本專利第5927656號公報

發明內容

在包含釔的氧氟化物、氟化釔的結構物中有時會在耐等離子體性上產生偏差。

本發明基于相關課題的認知而進行，所要解決的技術課題在于提供可提高耐等離子體性的結構物。