[發(fā)明專利]一種區(qū)分Bi2Se3表面態(tài)與體態(tài)光致逆自旋霍爾電流的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710888588.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107819067B | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙宜升;曾曉琳;俞金玲;程樹英 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 福州大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L43/06 | 分類號(hào): | H01L43/06;G01R19/00 |
| 代理公司: | 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡學(xué)俊 |
| 地址: | 350108 福建省福州市*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 區(qū)分 bi2se3 表面 體態(tài) 光致逆 自旋 霍爾 電流 方法 | ||
1.一種區(qū)分Bi2Se3表面態(tài)與體態(tài)光致逆自旋霍爾電流的方法,其特征在于:在鈦酸鍶襯底的(111)晶面上生長(zhǎng)拓?fù)浣^緣體Bi2Se3;而后用高斯分布的圓偏振激光在垂直入射的情況下激發(fā)拓?fù)浣^緣體Bi2Se3的體態(tài)和表面態(tài)的光致逆自旋霍爾效應(yīng)電流,測(cè)得當(dāng)激光光斑位置在兩電極a、b連線的垂直平分線上移動(dòng)時(shí)的光致逆自旋霍爾效應(yīng)電流;最后,通過(guò)建立區(qū)分拓?fù)浣^緣體Bi2Se3表面態(tài)與體態(tài)光致逆自旋霍爾電流的定量擬合模型,并進(jìn)行模型擬合,得到體態(tài)和表面態(tài)的光致逆自旋霍爾電流;
所述建立區(qū)分拓?fù)浣^緣體Bi2Se3表面態(tài)與體態(tài)光致逆自旋霍爾電流的定量擬合模型具體方式如下,
由于高斯分布的圓偏振激光在垂直入射產(chǎn)生的激光光斑為高斯激光光斑,所以光場(chǎng)強(qiáng)度呈現(xiàn)高斯分布,光激發(fā)產(chǎn)生的載流子也是呈現(xiàn)高斯分布;在激光光斑的徑向方向,由于自旋極化載流子濃度的梯度,將會(huì)產(chǎn)生沿徑向的自旋流,D是自旋擴(kuò)散系數(shù),Nz是沿z方向自旋的載流子濃度;由于逆自旋霍爾效應(yīng),沿徑向運(yùn)動(dòng)的電子將受到自旋橫向力f(r),從而產(chǎn)生橫向的渦旋流;自旋橫向力可以表示為
其中,G(r)是光強(qiáng)度的空間分布,表示z方向的單位矢量,γ是與自旋軌道耦合相關(guān)的常數(shù),m*為電子有效質(zhì)量,τs為自旋遲豫時(shí)間;因此,
其中,f0=m*γτsD;對(duì)應(yīng)二維導(dǎo)體,圓偏振電動(dòng)力是由圓偏振激光垂直入射的光照引起的,可以表示為q是單位電荷,R是積分路徑的半徑;渦旋流是有渦旋電場(chǎng)引起的,電場(chǎng)E(R)可以表示為由斯托克斯公式,可以得到:
所以,
兩電極a、b兩點(diǎn)的電壓可以表示為兩電極a、b兩點(diǎn)測(cè)到的電流為:
其中,abo表示沿兩電極a、b和激光光斑圓心o的閉合回路,Dabo表示abo三點(diǎn)圍成的面積;因此,若設(shè)由b到a的方向?yàn)檎较颍瑒t有
其中,±分別對(duì)應(yīng)激光光斑在兩電極a、b左邊和右邊的情形;當(dāng)光強(qiáng)較大,激光光斑中心區(qū)域的吸收趨于飽和,不存在載流子濃度的梯度,對(duì)渦旋電流沒(méi)有貢獻(xiàn),因此對(duì)面積積分的時(shí)候應(yīng)當(dāng)扣除這部分的面積積分,設(shè)飽和區(qū)域的半徑為rs;注意到以上公式只有在激光光斑區(qū)域是適用的,因?yàn)?,?dāng)大于激光光斑區(qū)域時(shí),不成立;因此,要將圓外的電流與跟圓邊沿上的電流聯(lián)系起來(lái);
設(shè)f點(diǎn)為ab線段上任意一點(diǎn),線段of與激光光斑邊緣的交點(diǎn)為e,則f點(diǎn)電流If和e點(diǎn)電流Ie有如下關(guān)系:
其中x0為激光光斑中心,r0為激光光斑半徑,Ls為電荷擴(kuò)散長(zhǎng)度,A為常數(shù),θ為of與激光光斑中垂線的夾角;因此可得:
當(dāng)x0=0時(shí),Iab=0,
當(dāng)x0≠0時(shí)
其中,
rs2為體層的飽和吸收半徑,θc1=arcos(x0/r0),θc2=arcos(x0/rs),“±”中“+”對(duì)應(yīng)x0>0,“-”對(duì)應(yīng)x0<0的情況;首先要確定飽和吸收區(qū)半徑rs;假設(shè)激光光斑的積分總強(qiáng)度為I0,則光強(qiáng)分布為:
假設(shè)表面層飽和吸收光強(qiáng)為總光強(qiáng)的Q0倍,則令
可以計(jì)算出飽和吸收區(qū)半徑rs;則在半徑為rs的飽和吸收區(qū),吸收光的強(qiáng)度都一樣,吸收達(dá)到飽和,此區(qū)域表面層吸收的光強(qiáng)為而未吸收部分的光將透過(guò)表層被體層吸收;半徑大于rs部分的光強(qiáng)將都被表層吸收,無(wú)法到達(dá)體層;通過(guò)將式(1)和式(2)對(duì)測(cè)得的光致逆自旋霍爾電流隨激光光斑位置的曲線進(jìn)行擬合,即可得到表面態(tài)和體態(tài)的逆自旋霍爾效應(yīng)電流。
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