[發明專利]多晶片半導體封裝體及垂直堆疊的半導體晶片和封裝方法

有效

• 申請號: 201710888309.2
• 申請日: 2017-09-27
• 公開（公告）號: CN108735684B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: 林柏均;朱金龍
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 王正茂;席勇

1.一種半導體晶片，其特征在于，包含：

半導體元件，具有上表面以及對應至所述上表面的下表面，其中所述半導體元件包含：

輸入端子；

多個硅晶穿孔連接塊，延伸穿越所述半導體元件，其中所述多個硅晶穿孔連接塊的其中之一連接至所述輸入端子；以及

多個選擇焊墊，位于所述下表面，其中所述多個選擇焊墊的其中之一連接至所述輸入端子，而所述多個選擇焊墊的其余者分別連接至所述

多個硅晶穿孔連接塊的其余者；

多個傾斜焊墊，位于所述上表面且通過所述多個硅晶穿孔連接塊分別連接至所述多個選擇焊墊，其中每個所述傾斜焊墊具有焊墊表面，其不平行于所述上表面；以及

多個傾斜導電結構，分別位于對應的所述多個傾斜焊墊上，每個所述傾斜導電結構的底端接觸對應的所述傾斜焊墊的所述焊墊表面，且每個所述傾斜導電結構的頂端垂直的對齊緊鄰的所述傾斜焊墊。

2.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于，每個所述傾斜導電結構包含：

柱狀部，自每個所述傾斜焊墊的所述焊墊表面向上延伸；以及

錫球部，位于所述柱狀部遠離所述傾斜焊墊的一端，其中所述錫球部垂直的對齊緊鄰的所述傾斜焊墊。

3.如權利要求2所述的半導體晶片，其特征在于，所述多個柱狀部均彼此相互平行。

4.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于，所述上表面具有多個V型槽，且所述多個傾斜焊墊是分別共形的形成于所述多個V型槽上。

5.如權利要求4所述的半導體晶片，其特征在于，每個所述V型槽的兩內表面夾角為90度。

6.如權利要求4所述的半導體晶片，其特征在于，所述半導體元件還包含保護層，多條導電通道于所述保護層內延伸，其中所述多個傾斜焊墊分別通過所述多條導電通道連接至所述多個硅晶穿孔連接塊。

7.如權利要求4所述的半導體晶片，其特征在于，所述多個傾斜焊墊彼此間隔，且每個所述傾斜導電結構的頂端在垂直方向超出其底端連接的所述傾斜焊墊。

8.如權利要求2所述的半導體晶片，其特征在于，所述多個傾斜焊墊彼此間隔，且每個所述傾斜導電結構的所述錫球部在垂直方向超出所述傾斜導電結構的所述柱狀部連接的所述傾斜焊墊。

9.一種多晶片半導體封裝體，包含N個垂直堆疊的半導體晶片，其特征在于，每個所述半導體晶片包含：

半導體元件，具有上表面以及對應至所述上表面的下表面，其中所述半導體元件包含：

輸入端子；

M個硅晶穿孔連接塊，延伸穿越所述半導體元件，其中M≥N，且所述M個硅晶穿孔連接塊的其中之一連接至所述輸入端子；以及

多個選擇焊墊，位于所述下表面，其中所述多個選擇焊墊的其中之一連接至所述輸入端子，而所述多個選擇焊墊的其余者分別連接至所述多個硅晶穿孔連接塊的其余者；

M-1個傾斜焊墊，位于所述上表面且通過所述多個硅晶穿孔連接塊分別連接至所述多個選擇焊墊，其中每個所述傾斜焊墊具有焊墊表面，其不平行于所述上表面；以及

多個傾斜導電結構，分別位于對應的所述多個傾斜焊墊上，每個所述傾斜導電結構的底端接觸對應的所述傾斜焊墊的所述焊墊表面，且每個所述傾斜導電結構的頂端垂直的對齊緊鄰的所述傾斜焊墊。

10.如權利要求9所述的多晶片半導體封裝體，其特征在于，每個所述傾斜導電結構包含：

柱狀部，自每個所述傾斜焊墊的所述焊墊表面向上延伸；以及

錫球部，位于所述柱狀部遠離所述傾斜焊墊的一端，其中所述錫球部垂直的對齊緊鄰的所述傾斜焊墊。

11.如權利要求10所述的多晶片半導體封裝體，其特征在于，所述多個柱狀部均彼此相互平行。