[發明專利]光調制器模塊

有效

• 申請號: 201710887851.6
• 申請日: 2017-09-27
• 公開（公告）號: CN107884958B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 坂井猛;市川潤一郎
• 申請（專利權）人: 住友大阪水泥股份有限公司
• 主分類號: G02F1/03
• 分類號: G02F1/03;G02F1/035
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 方應星;高培培

本發明提供一種光調制器模塊，減輕從光調制器模塊的殼體內的釬料產生錫而向電極間進行氣相輸送，在電極間進行析出生長從而引起偏壓穩定的劣化的問題。光調制器模塊具備：波導基板，形成有光波導和用于控制在光波導中傳播的光波的控制電極(信號電極、DC偏壓電極等)；中繼基板，配置在波導基板的附近，并形成有對控制電極(DC偏壓電極)供給DC偏壓的DC偏壓配線；及殼體，收容波導基板和中繼基板，其中，在DC偏壓配線的局部設置有從中繼基板向比波導基板的上表面高的位置立起的天線，天線配置在距殼體內的任一個釬料使用部位為10mm以內的位置。

技術領域

本發明涉及光調制器模塊，尤其是涉及具備波導基板、配置在該波導基板的附近的中繼基板、以及收容該波導基板和該中繼基板的殼體的光調制器模塊。

背景技術

在使用電子配線的業界中，已知有錫(Sn)晶須伴隨時間而緩慢生長，不久之后與印制配線基板上的端子接觸而引起短路事故的情況。到21世紀00年代前半之前向錫添加鉛來抑制晶須的發生，但是目前由于RoHS(Restriction on Hazardous Substances：限制有害物質)等電子設備的環境對應而使用了以無鉛的釬料為首的無鉛的原料，由晶須引起的短路再次成為問題。

在將鈮酸鋰(LiNbO₃)使用于波導基板的LN光調制器中，會產生以金錫釬料含有的錫為起因的其他的問題。從連接器與殼體的連接部、光纖與殼體的密封連接部等的釬料，將錫向LN光調制器的電極間進行氣相輸送，在電極間進行析出生長，引起偏壓穩定的劣化。除了無鉛化之外，DP-BPSK(Dual Polarization-Binary Phase Shift Keying：雙極化二進制相移鍵控)調制器或DP-QPSK(Dual Polarization-Quadrature Phase Shift Keying：雙極化正交相移鍵控)調制器等的電氣配線部的增大、殼體內部的自由空間的縮窄、調制器內部的集成密度的上升等成為原因。進而，在雙波長對應DP-QPSK中，除了電氣配線數之外，與光纖連接的連接數也倍增，因此此問題變得特別顯著。

另外，在DP-BPSK調制器或DP-QPSK調制器等極化復用方式的光調制器模塊中，在各調制器的光波導輸出端口與光纖的連接中，通常不是進行對接而是進行透鏡耦合。而且，在極化復用所使用的光學部件或透鏡耦合的構造的模塊中，為了防止由顆粒引起的光軸遮擋所產生的突發差錯，而進行清潔的環境下的模塊組裝。而且，為了防止由于霧、溶膠等被氣相輸送的物質的向光波導端面的附著或燒結所引起的光透過特性的逐年劣化(光損失的增大)，而使用將各部件徹底地清洗，而且密封有干燥氮的殼體構造。在本說明書中，將顆粒、霧、溶膠等的處于氣體的狀態的物質或浮游在空間內而被輸送的物質總稱為“氣相輸送物質”。

另外，近年來，下述(1)～(3)不斷發展。

(1)由殼體的小型化引起的殼體內部空間的大幅減少

(2)高度集成化造成的部件個數的增多引起的成為氣相輸送物質的起源的材料和構件的增多

(3)傳輸距離延長、OSNR(Optical Signal to Noise Ratio；光信噪比) 改善用的光量的增多

因此，顆粒與光軸會合的概率顯著地增大，由光軸遮擋引起的突發差錯成為深刻的問題。而且，由于氣相輸送物質的顯著的增多，它們的附著或燒結引起的光透過特性的逐年劣化(光損失的增大)也變得顯著。此外，由于光量的增多，即使氣相輸送物質不接近光波導端，但是僅在光軸上穿過就會被激光捕獲，固定在光軸上或者附著或燒結于波導端面的情況也變得顯著。