[發明專利]一種野生石斛種植方法

在審

• 申請號: 201710887804.1
• 申請日: 2017-09-27
• 公開（公告）號: CN107624640A
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發明（設計）人: 李維寶
• 申請（專利權）人: 霍山寶信園石斛開發有限公司
• 主分類號: A01G31/02
• 分類號: A01G31/02;A01G31/00
• 代理公司: 廈門智慧呈睿知識產權代理事務所(普通合伙)35222
• 代理人: 郭福利

技術領域

本發明屬于石斛培育技術領域，具體涉及一種野生石斛種植方法。

背景技術

石斛，又叫禁生、金釵花等。莖直立，肉質狀肥厚，稍扁的圓柱形，長10～60厘米，粗達1.3厘米。藥用植物，性味甘淡微咸，寒，歸胃、腎，肺經。益胃生津，滋陰清熱。用于陰傷津虧，口干煩渴，食少干嘔，病后虛熱，目暗不明。石斛花姿優雅，玲瓏可愛，花色鮮艷，氣味芳香，被喻為“四大觀賞洋花”之一。石斛喜在溫暖、潮濕、半陰半陽的環境中生長，對土肥要求不甚嚴格，野生多在疏松且厚的樹皮或樹干上生長，有的也生長于石縫中。[2]產于安徽省霍山縣的霍山石斛是石斛中的極品，但是霍山石斛生長環境苛刻，產量稀少，市面上只有少數像福臨門鐵皮石斛這樣的老品牌能買到真正的霍山石斛。根據其生長習性，石斛栽培地宜選半陰半陽的環境，空氣濕度在80％以上，冬季氣溫在0℃以上地區。人工可控環境也可，樹種應以黃桷樹、梨樹、樟樹等且應樹皮厚有縱溝、含水多、枝葉茂、樹干粗大的活樹，石塊地也應在陰涼、濕潤地區，石塊上應有苔蘚生長及表面有少量腐殖質。目前野生石斛日益減少，其生長環境要求也極為嚴苛，滿足不了市場需求，所以人工種植野生石斛迫在眉睫，目前的種植方法存在栽培場地透氣性不足容易造成根部腐爛、施行起來較復雜且成本高的問題，為此我們提出一種野生石斛種植方法。

發明內容

本發明的目的在于提供一種野生石斛種植方法，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種野生石斛種植方法，包括盆體，所述盆體為六棱柱型結構，中空，所述盆體的底端設置有支撐底座，所述盆體的底面內部設置有第一透氣孔，且所述第一透氣孔為圓形結構，貫穿所述盆體的底面，所述盆體的內部相互平行設置有兩個形狀、大小完全相同的第一透氣網和第二透氣網，所述第一透氣網和第二透氣網之間設置有第二透氣孔，且所述第二透氣孔有六個，六個第二透氣孔平均分布在所述盆體的內壁上。

優選的，所述盆體為六棱柱型結構，內部中空，最大尺寸約為90*90*100cm，底部開有第一透氣孔，直徑約為10cm。

優選的，所述盆體的側面設置有六個相同的第二透氣孔，直徑約為10cm,透氣孔的兩遍分別設置有第一透氣網和第二透氣網，且所述第一透氣網和第二透氣網的形狀、大小完全相同，水平固定于所述盆體的內部。

優選的，所述選苗時應保證瓶苗生長健壯、葉色正常，根長3cm以上，肉質莖有3～4個節間、長有4～5片葉，葉色正常，根長3cm以上，有4～5條根，根皮色白中帶綠，無黑色根，無畸形，無變異。

優選的，所述組培苗出瓶時，將培養基與小苗一起輕輕取出，整齊放置于盆中待清洗，污染苗、裸根苗或少根苗分別放置。正常組培苗先在清水中洗凈培養基，特別要洗掉瓊脂，以免瓊脂發霉引起爛根，再換清水清洗一次。裸根或少根組培苗經過上述清洗后，還需將小苗根部置于100mg/L的ABT生根粉中浸泡15分鐘，以進行生根誘導。污染苗經過清洗后，用1000倍多菌靈浸泡整株小苗10分鐘。

優選的，所述基質為事先已經泡好的濕軟的純樹皮，將浸泡好的石斛苗放置到盆體的內部，置于第二透氣網的上方，將基質一同放于第二透氣網的上方并壓住石斛苗的根部。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：盆體的底面設置有第一透氣孔，盆體的內部設置有兩個形狀、大小完全相同的第一透氣網和第二透氣網，第一透氣網和第二透氣網之間又設置有第二透氣孔，設置簡單易行，并且基質樹皮均為常見材料，成本低；兩個透氣網以及若干個透氣孔，便于通風透氣，保護石斛的根部。

附圖說明

圖1為本發明的結構示意圖；

圖2為本發明的側視結構示意圖；

圖3為本發明的流程結構示意圖；

圖中：1-盆體、2-第一透氣孔、3-第一透氣網、4-第二透氣網、5-第二透氣孔、6-支撐底座。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。