[發(fā)明專利]一種貢菊側(cè)芽幼莖微扦插的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710887551.8 | 申請日: | 2017-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN107646362A | 公開(公告)日: | 2018-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉資豪 | 申請(專利權(quán))人: | 界首市五季果源家庭農(nóng)場 |
| 主分類號: | A01G2/10 | 分類號: | A01G2/10;A01G24/28;A01G24/15;A01G24/22 |
| 代理公司: | 合肥廣源知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)34129 | 代理人: | 羅滬光 |
| 地址: | 236500 安徽省阜陽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 側(cè)芽 幼莖微 扦插 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于貢菊側(cè)芽幼莖微扦插技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種貢菊側(cè)芽幼莖微扦插的方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)為解決茶用菊花新優(yōu)品種在短期內(nèi)快速規(guī)模化生產(chǎn)的問題,有通過茶用菊花側(cè)芽的幼嫩莖尖進(jìn)行微扦插技術(shù)研究,研究結(jié)果表明,“玉龍”、“玉臺1號”、“杭菊”扦插后具有較整齊的扦插根,生根質(zhì)量高,能在短時間內(nèi)提高茶用菊花的繁殖系數(shù),保持木本的優(yōu)良性狀,實(shí)現(xiàn)茶用菊花的快速育苗,但貢菊采用幼嫩莖尖扦插后,生根率極低,僅為12.5%,其他品種均可達(dá)到100%,而且生根質(zhì)量較差,限制了貢菊側(cè)芽幼莖微扦插技術(shù)的使用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有的問題,提供了一種貢菊側(cè)芽幼莖微扦插的方法。
本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種貢菊側(cè)芽幼莖微扦插的方法,取貢菊長度為6-7cm的側(cè)芽,制成4.2-4.5cm的微插穗,將消毒后的微插穗置于高壓靜電裝置中,在場強(qiáng)為400-500kV/m的高壓靜電場處理20-30分鐘,用質(zhì)量濃度為0.2%的硝酸鉀溶液對微插穗進(jìn)行噴淋,噴淋量為2-4g/60株,然后在溫度為為22-26℃、相對濕度為75-80%的拱棚中進(jìn)行扦插育苗,扦插深度為1.4-1.6cm。
作為對上述方案的進(jìn)一步改進(jìn),所述側(cè)芽由健康貢菊按照常規(guī)方法在日光溫室中剪取頂尖,進(jìn)行扦插,扦插后25天,當(dāng)側(cè)芽長到6-7cm后,采集側(cè)芽即可。
作為對上述方案的進(jìn)一步改進(jìn),所述微插穗用消毒液中包含:硫酸銅0.28wt%、新潔爾滅溶液0.1wt%、磷酸三鈉1.26wt%。
作為對上述方案的進(jìn)一步改進(jìn),所述高壓靜電裝置中電場極板包括上電場極板和下電場極板,上電場極板和下電場極板之間的距離為20-40mm。
作為對上述方案的進(jìn)一步改進(jìn),所述扦插用基質(zhì)包括以下重量份的原料:蛭石18-22份、泥炭12-16份、珍珠巖4-8份、腐殖質(zhì)土2-5份、苔蘚1-3份。
作為對上述方案的進(jìn)一步改進(jìn),所述噴淋時,將微插穗置于吸水棉上進(jìn)行噴淋,能夠有效收集未被吸收的硝酸鉀溶液,且可以使其與鋪放的微插穗充分接觸。
本發(fā)明相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明中利用高壓靜電場對微插穗進(jìn)行處理,改變貢菊微插穗中酶活性,改變細(xì)胞膜的通透性,在處理過程中無放射性物質(zhì),再配合硝酸鉀溶液處理后進(jìn)行扦插,能夠使貢菊的生根率達(dá)到100%,且生根質(zhì)量明顯提高,進(jìn)入生長階段后,與長度為10cm的扦插苗無明顯區(qū)別,相比常規(guī)扦插苗能夠在短時間內(nèi)提高貢菊的繁殖系數(shù),并保持貢菊的優(yōu)良性狀,有利于快速規(guī)模化生產(chǎn)。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1
一種貢菊側(cè)芽幼莖微扦插的方法,取貢菊長度為6-7cm的側(cè)芽,制成4.4cm的微插穗,將消毒后的微插穗置于高壓靜電裝置中,在場強(qiáng)為450kV/m的高壓靜電場處理25分鐘,用質(zhì)量濃度為0.2%的硝酸鉀溶液對微插穗進(jìn)行噴淋,噴淋量為3g/60株,然后在溫度為為24℃、相對濕度為78%的拱棚中進(jìn)行扦插育苗,扦插深度為1.5cm。
其中,所述側(cè)芽由健康貢菊按照常規(guī)方法在日光溫室中剪取頂尖,進(jìn)行扦插,扦插后25天,當(dāng)側(cè)芽長到6-7cm后,采集側(cè)芽即可;所述微插穗用消毒液中包含:硫酸銅0.28wt%、新潔爾滅溶液0.1wt%、磷酸三鈉1.26wt%。
其中,所述高壓靜電裝置中電場極板包括上電場極板和下電場極板,上電場極板和下電場極板之間的距離為30mm;蛭石20份、泥炭14份、珍珠巖6份、腐殖質(zhì)土4份、苔蘚2份。
其中,所述噴淋時,將微插穗置于吸水棉上進(jìn)行噴淋,能夠有效收集未被吸收的硝酸鉀溶液,且可以使其與鋪放的微插穗充分接觸。
實(shí)施例2
一種貢菊側(cè)芽幼莖微扦插的方法,取貢菊長度為6-7cm的側(cè)芽,制成4.2cm的微插穗,將消毒后的微插穗置于高壓靜電裝置中,在場強(qiáng)為500kV/m的高壓靜電場處理20分鐘,用質(zhì)量濃度為0.2%的硝酸鉀溶液對微插穗進(jìn)行噴淋,噴淋量為4g/60株,然后在溫度為為26℃、相對濕度為75%的拱棚中進(jìn)行扦插育苗,扦插深度為1.4cm。
其中,所述高壓靜電裝置中電場極板包括上電場極板和下電場極板,上電場極板和下電場極板之間的距離為20mm;所述扦插用基質(zhì)包括以下重量份的原料:蛭石18份、泥炭12份、珍珠巖8份、腐殖質(zhì)土2份、苔蘚3份。
實(shí)施例3
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于界首市五季果源家庭農(nóng)場,未經(jīng)界首市五季果源家庭農(nóng)場許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710887551.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種菊花的扦插育苗方法
- 下一篇:一種無塵密封門





