[發明專利]一種集成式無源無線微機械開關及其制備方法

在審

• 申請號: 201710886278.7
• 申請日: 2017-09-27
• 公開（公告）號: CN107799360A
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 王立峰;黃慶安
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01H59/00
• 分類號: H01H59/00;H01H1/00;H01H11/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種集成式無源無線微機械開關，其特征在于該微機械開關以P型襯底10為基底，在P型襯底10上設有N阱11，在N阱11中設有N+摻雜區13和P阱12，在P阱12中設有P+摻雜區14，構成二極管2；在二極管2和P型襯底10的上表面設有第一絕緣層15；在二極管2旁的第一絕緣層15的上方向上依次設有第一金屬層17、第二絕緣層18和第二金屬層19，構成電容器3；在電容器3旁的第一絕緣層15的上方向上依次設有第一金屬層17、第二絕緣層18和第二金屬層19，構成電阻器4；在電阻器4旁的第一絕緣層15的上方向上依次設有第一金屬層17、第二絕緣層18和第二金屬層19，構成微機械開關5；在二極管2、電容器3、電阻器4、微機械開關5外圍設有電感線圈6。

2.如權利要求1所述的集成式無源無線微機械開關，其特征在于：所述電感線圈6的一端接二極管2的一端，電感線圈6的另一端分別接電容器3、電阻器4、微機械開關5。

3.一種如權利要求1所述的集成式無源無線微機械開關的制備方法，其特征在于：該方法基于由下至上依次設置的P型襯底10、N阱11、P阱12、N+摻雜區13、P+摻雜區14、第一絕緣層15、第一金屬層17、第二絕緣層18和第二金屬層19；利用多步摻雜工藝、鍍膜工藝、電鍍工藝和犧牲層技術，在一個芯片上同時制備出包含二極管2、電容器3、電阻器4、微機械開關5和電感線圈6的集成式無源無線微機械開關結構。

4.如權利要求3所述的集成式無源無線微機械開關的制備方法，其特征在于：該方法具體包含如下步驟：

步驟1，在所述P型襯底10上進行N型摻雜得到N阱11作為二極管2的N極，再在得到的N阱11中進行P型摻雜得到P阱12作為二極管2的P極，然后分別在N阱11和P阱12上進行N+摻雜和P+摻雜得到N+摻雜區13和P+摻雜區14作為二極管2的N極和P極的接觸區；

步驟2，在所述P型襯底10上淀積第一絕緣層15并刻蝕得到二極管2的接觸孔16；

步驟3，在所述第一絕緣層15上淀積第一金屬層17并刻蝕得到電容器3的下電極、電阻器4結構和微機械開關5的下電極；

步驟4，在所述第一金屬層17上淀積第二絕緣層18并刻蝕得到電容器3、電阻器4和微機械開關5的絕緣層；

步驟5，在所述第二絕緣層18上進行光刻，利用圖形化的光刻膠作為犧牲層和電鍍的模具得到第二金屬層19作為二極管2的電極引出、電容器3的上電極和下電極引出、電阻器4的電極引出、微機械開關5的上電極和下電極引出以及電感線圈6結構；

步驟6，腐蝕所述犧牲層，釋放微機械開關5結構，得到最終的包含二極管2、電容器3、電阻器4、微機械開關5和電感線圈6的集成式無源無線微機械開關結構。