[發(fā)明專利]一種高電子遷移率晶體管

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710885203.7
• 申請日: 2017-09-26
• 公開（公告）號: CN109560130A
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設計）人: 劉梅
• 申請（專利權）人: 南京譽凱電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高電子遷移率晶體管，包括襯底、襯底以上依次生長的成核層、溝道層、勢壘層，以及勢壘層上的源極、柵極、漏極、源極與柵極之間及柵極與漏極之間的鈍化層；其特征在于，柵極與鈍化層之間還設有高熱導率材料層，高熱導率材料層與勢壘層接觸。

2.按權利要求1所述一種高電子遷移率晶體管，其特征在于所述襯底采用碳化硅材料，成核層為氮化鋁材料，溝道層為氮化鎵材料，勢壘層為鋁鎵氮材料；源極、柵極、漏極、源極與柵極之間及柵極與漏極之間的鈍化層分別位于勢壘層上，其中鈍化層為氮化硅材料。

3.按權利要求1所述一種高電子遷移率晶體管，其特征在于所述的高熱導率材料層是金剛石晶體、氮化鋁、氧化鈹、正立方氮化硼或是上述多種高熱導率材料的多重薄層。

4.按權利要求1所述一種高電子遷移率晶體管，其特征在于所述源極和漏極與勢壘層形成歐姆接觸，柵極與勢壘層形成肖特基接觸。

5.按權利要求1所述一種高電子遷移率晶體管，其特征在于所述的高熱導率材料層與鈍化層接觸面可以是垂直面、斜面或階梯狀表面。