[發明專利]超低寄生電容二極管的制備工藝有效
| 申請號： | 201710885058.2 | 申請日： | 2017-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN107611028B | 公開（公告）日： | 2020-09-18 |
| 發明（設計）人： | 黎坡 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 寄生 電容 二極管 制備 工藝 | ||
1.一種超低寄生電容二極管的制備工藝，其特征在于，包括：
提供高阻值的P型半導體襯底；
在部分所述P型半導體襯底的表面形成P型摻雜區；
對所述P型半導體襯底進行熱退火工藝處理，使所述P型半導體襯底中的氧施主濃度增加，從而使所述P型半導體襯底轉變為N型半導體襯底，所述P型摻雜區與所述N型半導體襯底形成超低寄生電容二極管。
2.如權利要求1所述的超低寄生電容二極管的制備工藝，其特征在于，在部分所述P型半導體襯底的表面摻雜硼離子，形成所述P型摻雜區。
3.如權利要求2所述的超低寄生電容二極管的制備工藝，其特征在于，摻雜硼離子的濃度為108原子個數/cm3～1010原子個數/cm3。
4.如權利要求1所述的超低寄生電容二極管的制備工藝，其特征在于，還包括：
測量所述超低寄生電容二極管的反向漏電流或電容；
當所述反向漏電流或電容未達到預設值時，繼續進行所述熱退火工藝處理，直至所述超低寄生二極管的反向漏電流或電容達到預設值。
5.如權利要求1所述的超低寄生電容二極管的制備工藝，其特征在于，所述熱退火工藝處理的溫度為300℃～500℃。
6.如權利要求1所述的超低寄生電容二極管的制備工藝，其特征在于，所述熱退火工藝處理的時間為5min～20min。
7.如權利要求1所述的超低寄生電容二極管的制備工藝，其特征在于，所述P型半導體襯底的電阻率為大于500Ω·cm。
8.如權利要求1所述的超低寄生電容二極管的制備工藝，其特征在于，所述N型半導體襯底的電阻率為大于500Ω·cm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
