[發明專利]浮柵的制備方法及閃存的制備方法

在審

• 申請號: 201710885046.X
• 申請日: 2017-09-26
• 公開（公告）號: CN107731820A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 吳亞貞;劉憲周;莘海維
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種浮柵的制備方法，其特征在于，所述浮柵的制備方法包括：

提供一襯底，在所述襯底上形成介質層；

形成一溝槽，所述溝槽貫穿所述介質層和部分所述襯底；

在所述溝槽內填充隔離材料，以形成隔離結構；

去除部分厚度的介質層；

形成多晶硅層，所述多晶硅層覆蓋所述剩余介質層。

2.如權利要求1所述的浮柵的制備方法，其特征在于，形成多晶硅層，所述多晶硅層覆蓋所述剩余介質層之后，所述浮柵的制備方法還包括：

形成多晶硅材料層，所述多晶硅材料層覆蓋所述剩余介質層和所述隔離結構；

對所述多晶硅材料層進行平坦化。

3.如權利要求1所述的浮柵的制備方法，其特征在于，所述溝槽的截面寬度為90nm-110nm。

4.如權利要求1所述的浮柵的制備方法，其特征在于，所述介質層包括第一介質層和第二介質層。

5.如權利要求4所述的浮柵的制備方法，其特征在于，所述第二介質層的硬度大于所述第一介質層。

6.如權利要求4所述的浮柵的制備方法，其特征在于，去除部分厚度的介質層包括：

去除所述第二介質層，以暴露出所述第一介質層。

7.如權利要求4所述的浮柵的制備方法，其特征在于，所述第一介質層的厚度為90埃-150埃。

8.如權利要求4所述的浮柵的制備方法，其特征在于，所述第一介質層的材料包括二氧化硅、碳氧化硅及氮氧化硅中的一種或多種。

9.如權利要求4所述的浮柵的制備方法，其特征在于，所述第二介質層的厚度為500-5000埃。

10.如權利要求4所述的浮柵的制備方法，其特征在于，所述第二介質層的材料包括氮化硅和/或氮化鈦。

11.如權利要求4所述的浮柵的制備方法，其特征在于，采用濕化學腐蝕的方法去除所述第二介質層。

12.如權利要求4所述的浮柵的制備方法，其特征在于，在所述溝槽內填充隔離材料包括：

在所述溝槽內和所述第二介質層上沉積所述隔離材料；

刻蝕以去除所述第二介質層上的隔離材料。

13.如權利要求4所述的浮柵的制備方法，其特征在于，采用化學氣相沉積或原子層沉積的方法形成所述第一介質層和所述第二介質層。

14.一種閃存的制備方法，其特征在于，包括如權利要求1～13中任一項所述的浮柵的制備方法。