[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管外延片及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710883706.0 | 申請日： | 2017-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN107946419A | 公開（公告）日： | 2018-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 姚振;從穎;胡加輝;李鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/04 | 分類號： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 發(fā)光二極管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管外延片，所述發(fā)光二極管外延片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的低溫緩沖層、3D成島層、高溫緩沖層、N型層、有源層、電子阻擋層、P型層，其特征在于，
所述3D成島層包括由第一子層和第二子層構(gòu)成的超晶格結(jié)構(gòu)，所述第一子層為采用摩爾比為第一比值的五族元素和三族元素制成的GaN層，所述第二子層為采用摩爾比為第二比值的五族元素和三族元素制成的GaN層，所述第二比值為所述第一比值的1.5-5倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述超晶格結(jié)構(gòu)的周期為2-10。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述3D成島層中緊貼所述低溫緩沖層的部分為所述第一子層。
4.一種發(fā)光二極管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一襯底；
在襯底上依次生長低溫緩沖層、3D成島層、高溫緩沖層、N型層、有源層、電子阻擋層、P型層，所述3D成島層包括由第一子層和第二子層構(gòu)成的超晶格結(jié)構(gòu)，所述第一子層為采用摩爾比為第一比值的五族元素和三族元素制成的GaN層，所述第二子層為采用摩爾比為第二比值的五族元素和三族元素制成的GaN層，所述第二比值為所述第一比值的1.5-5倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述超晶格結(jié)構(gòu)的周期為2-10。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，所述3D成島層中緊貼所述低溫緩沖層的部分為所述第一子層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，所述第一子層的生長時間與所述第二子層的生長時間相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一子層和所述第二子層的生長時間均為15-20min。
9.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，所述第一子層的生長壓力比所述第二子層的生長壓力高50-400torr。
10.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，所述第一子層的生長溫度比所述第二子層的生長溫度高10-30℃。
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