[發明專利]一種用于提高晶體鍵合質量的晶體表面加工質量表征方法在審
| 申請號： | 201710883648.1 | 申請日： | 2017-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN107655408A | 公開（公告）日： | 2018-02-02 |
| 發明（設計）人： | 李強;惠勇凌;姜夢華;雷訇 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | G01B11/00 | 分類號： | G01B11/00;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司11203 | 代理人： | 張立改 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 提高 晶體 質量 表面 加工 表征 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于提高晶體鍵合質量的晶體表面加工質量表征方法，其特征在于，采用表面平整度、粗糙度、微凸起間距三個參量共同作為表征晶體表面加工質量的參量；即在晶體制備過程中，除了目前常規的表面平整度、粗糙度之外，還將晶體表面微凸起間距作為表征晶體表面加工質量的一個新的參量，三個參量共同約束晶體表面宏觀幾何波度和微觀縱向、橫向的形貌。
2.按照權利要求1所述的一種用于提高晶體鍵合質量的晶體表面加工質量表征方法，其特征在于，制備鍵合晶體時，采用表面平整度、粗糙度、微凸起間距三個參量作為表征晶體表面加工質量的參量，將三個參量作為為提高晶體鍵合質量需要參考的健合前晶體表面加工的參數。
3.按照權利要求1所述的一種用于提高晶體鍵合質量的晶體表面加工質量表征方法，其特征在于，晶體鍵合包括同種材料鍵合或異種材料鍵合。
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