[發明專利]拍攝單元有效
| 申請號: | 201710883181.0 | 申請日: | 2013-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN107768389B | 公開(公告)日: | 2022-03-22 |
| 發明(設計)人: | 石田知久 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/378 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 陳偉;王娟娟 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 拍攝 單元 | ||
1.一種拍攝單元,其特征在于,具有:
光學元件,其具有光所入射的入射面和將入射到所述入射面的光射出的射出面,所述射出面是與所述入射面相反側的面,在所述射出面形成有第1布線;
拍攝元件,其具有光電轉換部和輸出部,所述光電轉換部將來自所述射出面的光轉換為電荷且配置在與所述射出面相對的第1面,所述輸出部輸出基于由所述光電轉換部轉換得到的電荷的信號且配置在與所述第1面相反側的第2面;
基板,其配置有所述拍攝元件,且具有將來自所述輸出部的所述信號輸出的第2布線;以及
接合部,其與所述光學元件和所述基板一起形成用于密封所述拍攝元件的密封空間,
所述接合部具有將所述第1布線和所述第2布線電連接的連接部,
所述光學元件、所述拍攝元件以及所述基板分別具有不同的熱膨脹系數,
所述基板的熱膨脹系數與所述光學元件的熱膨脹系數之差比所述拍攝元件的熱膨脹系數與所述光學元件的熱膨脹系數之差小。
2.根據權利要求1所述的拍攝單元,其特征在于,
所述拍攝元件在第1方向上配置在所述光學元件與所述基板之間,
所述接合部在與所述第1方向不同的第2方向上夾著所述拍攝元件而形成。
3.根據權利要求2所述的拍攝單元,其特征在于,
所述接合部包含樹脂。
4.根據權利要求2所述的拍攝單元,其特征在于,
還具備信號處理芯片,所述信號處理芯片與所述第1布線連接,并對所述信號進行處理。
5.根據權利要求4所述的拍攝單元,其特征在于,
所述信號處理芯片在所述第2方向上的寬度比所述拍攝元件在所述第2方向上的寬度窄。
6.根據權利要求5所述的拍攝單元,其特征在于,
所述信號處理芯片在所述第2方向上與所述拍攝元件并列地配置。
7.根據權利要求4所述的拍攝單元,其特征在于,
所述信號處理芯片具有第1信號處理芯片和與所述第1信號處理芯片不同的第2信號處理芯片。
8.根據權利要求7所述的拍攝單元,其特征在于,
所述第1信號處理芯片和所述第2信號處理芯片在所述第2方向上夾著所述拍攝元件地配置。
9.根據權利要求4所述的拍攝單元,其特征在于,
在所述拍攝元件和所述基板之間具有導熱劑。
10.根據權利要求9所述的拍攝單元,其特征在于,
具有將來自所述基板的熱散放的散熱部件。
11.根據權利要求10所述的拍攝單元,其特征在于,
所述散熱部件將來自所述信號處理芯片的熱散放。
12.一種拍攝裝置,其具有權利要求1至11中任一項所述的拍攝單元。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





