[發(fā)明專利]一種1xN型單片集成式半導(dǎo)體主振蕩放大器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710882586.2
• 申請日: 2017-09-26
• 公開（公告）號: CN109560464A
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李召松;徐洋;王鵬飛;張冶金;于紅艷;潘教青;王慶飛;田林巖
• 申請（專利權(quán)）人: 北京萬集科技股份有限公司
• 主分類號: H01S5/50
• 分類號: H01S5/50
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;李相雨

1.一種1xN型單片集成式半導(dǎo)體主振蕩放大器，其特征在于，包括：

基于半導(dǎo)體激光器的主振蕩器，用于產(chǎn)生基橫模和單縱模的種子激光；

基于1xN多模干涉耦合器的半導(dǎo)體功率放大器，用于對所述種子激光進(jìn)行功率放大，并將經(jīng)過功率放大后的所述種子激光分成多路激光光束輸出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主振蕩放大器，其特征在于，所述半導(dǎo)體功率放大器包括一個(gè)1xN多模干涉耦合器，N大于等于2，或者預(yù)設(shè)級聯(lián)層數(shù)i的1xM_i多模干涉耦合器，第1級聯(lián)層包括一個(gè)1xM₁多模干涉耦合器，M₁大于等于2，第i級聯(lián)層的1xM_i多模干涉耦合器的數(shù)量其中，i≥2且i為正整數(shù)，j≥2且j為正整數(shù)，M_i≥2，所述1xM₁多模干涉耦合器的輸入端與所述主振蕩器的輸出端相連，第i-1級聯(lián)層的1xM_i-1多模干涉耦合器的輸出端與第i級聯(lián)層的1xM_i多模干涉耦合器的輸入端相連。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主振蕩放大器，其特征在于，所述半導(dǎo)體功率放大器采用普通干涉多模干涉耦合器。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主振蕩放大器，其特征在于，所述半導(dǎo)體功率放大器采用對稱干涉多模干涉耦合器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主振蕩放大器，其特征在于，所述主振蕩器包括第一有源層，所述半導(dǎo)體功率放大器包括第二有源層，所述第一有源層和所述第二有源層具有相同的量子阱結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主振蕩放大器，其特征在于，所述主振蕩器包括第一有源層，所述半導(dǎo)體功率放大器包括第二有源層，所述第一有源層和所述第二有源層具有不同的量子阱結(jié)構(gòu)，所述第一有源層和所述第二有源層采用對接生長技術(shù)相接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主振蕩放大器，其特征在于，所述主振蕩器包括第一有源層，所述半導(dǎo)體功率放大器包括第二有源層，所述第一有源層有一個(gè)，所述第二有源層有兩個(gè)，所述第一有源層和所述第二有源層采用疊層量子阱技術(shù)相接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主振蕩放大器，其特征在于，所述半導(dǎo)體功率放大器的輸出端為彎曲波導(dǎo)或者直波導(dǎo)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主振蕩放大器，其特征在于，所述主振蕩器采用分布反饋式半導(dǎo)體激光器或者分布式布拉格反射式半導(dǎo)體激光器。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的主振蕩放大器，其特征在于，所述主振蕩器和所述半導(dǎo)體功率放大器基于InP襯底或者GaAs襯底。