[發明專利]MEMS設備有效
| 申請號： | 201710882261.4 | 申請日： | 2017-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN107872760B | 公開（公告）日： | 2020-06-23 |
| 發明（設計）人： | A·S·亨金;T·H·胡克斯特拉 | 申請（專利權）人： | 思睿邏輯國際半導體有限公司 |
| 主分類號： | H04R19/00 | 分類號： | H04R19/00;H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知識產權代理有限公司 11285 | 代理人： | 鄭建暉;陳璐 |
| 地址： | 英國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mems 設備 | ||
1.一種MEMS換能器，包括：
一個基底，所述基底包括一個腔；
一個初級膜，所述初級膜的周緣以相對于所述基底固定的關系被支撐，從而覆蓋所述腔；
至少一個次級膜，所述次級膜被設置在一個覆蓋所述初級膜的平面中，其中所述次級膜被機械地聯接到所述初級膜，且其中所述次級膜的周緣不以相對于所述基底固定的關系被支撐。
2.根據權利要求1所述的MEMS換能器，其中所述次級膜通過一個基本剛性的聯接結構聯接到所述初級膜。
3.根據權利要求1所述的MEMS換能器，其中所述次級膜通過在所述次級膜和所述初級膜之間延伸的一個或多個聯接結構聯接到所述初級膜。
4.根據權利要求1所述的MEMS換能器，還包括一個置于所述初級膜和所述次級膜之間的支撐結構。
5.根據權利要求4所述的MEMS換能器，其中所述支撐結構被穿孔以包括從所述支撐結構的上部表面延伸到所述支撐結構的下部表面的多個孔。
6.根據權利要求4所述的MEMS換能器，其中所述支撐結構包括形成至少一個支撐板電極的一個或多個導電元件，每個支撐板電極與所述初級膜的一個初級膜電極或所述次級膜的一個次級膜電極形成一個電容器。
7.根據權利要求1所述的MEMS換能器，其中第一支撐板電極與所述初級膜的至少一個初級膜電極形成一個底部電容器，并且其中第二支撐板電極與所述次級膜的至少一個次級膜電極形成一個頂部電容器。
8.根據權利要求7所述的MEMS換能器，其中所述第一支撐板電極和所述第二支撐板電極是電分離的，并且其中初級膜電極被電連接至次級膜電極。
9.根據權利要求8所述的MEMS換能器，其中所述第一支撐板電極的電壓被保持在+Vs，所述第二支撐板電極的電壓被保持在-Vs，并且其中所述初級膜電極和所述次級膜電極的電壓Vm被偏置在0V。
10.根據權利要求6所述的MEMS換能器，其中第一支撐板電極和第二支撐板電極被電連接至彼此，并且其中所述初級膜電極和所述次級膜電極是電分離的。
11.根據權利要求10所述的MEMS換能器，其中所述支撐板電極的電壓被偏置在0V，并且所述初級膜的電壓被保持在+Vs，所述次級膜的電壓被保持在-Vs。
12.根據權利要求10所述的MEMS換能器，其中所述初級膜電極和所述次級膜電極被連接至一個差分放大器的相應的正輸入和負輸入。
13.根據權利要求1所述的MEMS換能器，其中所述初級膜和/或所述次級膜包括晶體材料或多晶材料。
14.根據權利要求6所述的MEMS換能器，其中所述支撐板電極或所述初級膜電極或所述次級膜電極由鋁和/或鋁硅合金和/或氮化鈦形成。
15.根據權利要求1所述的MEMS換能器，其中所述次級膜被穿孔。
16.根據權利要求1所述的MEMS換能器，其中所述次級膜電極僅經由所述初級膜機械聯接到所述基底。
17.根據權利要求1所述的MEMS換能器，其中所述換能器包括一個電容式傳感器。
18.根據權利要求1所述的MEMS換能器，其中所述初級膜和/或所述次級膜包括氮化硅。
19.根據權利要求1所述的MEMS換能器，其中所述換能器包括一個電容式麥克風。
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