[發(fā)明專利]動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710879694.4
• 申請(qǐng)日: 2017-09-26
• 公開（公告）號(hào): CN109390339B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 竹迫壽晃;真鍋和孝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，包括：

襯底；

隔離結(jié)構(gòu)，位于所述襯底中，所述隔離結(jié)構(gòu)定義出多個(gè)主動(dòng)區(qū)域，其沿第一方向排列成一列；

埋入式字線結(jié)構(gòu)，位于所述襯底內(nèi)，沿所述第一方向延伸，跨過(guò)所述多個(gè)主動(dòng)區(qū)域和所述隔離結(jié)構(gòu)；以及

多個(gè)第一鰭型結(jié)構(gòu)，位于所述主動(dòng)區(qū)域與所述埋入式字線結(jié)構(gòu)相交的區(qū)域中，沿所述第一方向排列成一列，并被所述埋入式字線結(jié)構(gòu)環(huán)繞包覆，

其中所述第一鰭型結(jié)構(gòu)的底部與所述襯底分隔開，且所述隔離結(jié)構(gòu)未延伸至所述第一鰭型結(jié)構(gòu)的所述底部與所述襯底之間，

其中柵介電層位于所述第一鰭型結(jié)構(gòu)下方的所述襯底的凸部上，且與所述凸部接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中所述埋入式字線結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)體層，所述多個(gè)第一鰭型結(jié)構(gòu)被所述導(dǎo)體層環(huán)繞包覆，且所述埋入式字線結(jié)構(gòu)的位于所述多個(gè)主動(dòng)區(qū)域上方的頂面與位于所述隔離結(jié)構(gòu)上方的頂面是共平面的。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中所述埋入式字線結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)，位于所述多個(gè)第一鰭型結(jié)構(gòu)和所述襯底之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中所述埋入式字線結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)體層覆蓋所述多個(gè)第一鰭型結(jié)構(gòu)的表面和側(cè)壁以及所述多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，還包括多個(gè)第二鰭型結(jié)構(gòu)，位于所述多個(gè)第一鰭型結(jié)構(gòu)下方，所述多個(gè)第一鰭型結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)第二鰭型結(jié)構(gòu)均位于所述埋入式字線結(jié)構(gòu)中，被所述埋入式字線結(jié)構(gòu)環(huán)繞包覆。

6.一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，包括：

襯底，所述襯底中具有第一字線隧道；

隔離結(jié)構(gòu)，位于所述襯底中，所述隔離結(jié)構(gòu)定義出多個(gè)主動(dòng)區(qū)域，其沿第一方向排列成一列；

第一埋入式柵極結(jié)構(gòu)，位于所述第一字線隧道上方的所述襯底中，所述第一埋入式柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和底面被所述襯底包覆，所述第一埋入式柵極結(jié)構(gòu)的頂面被介電層包覆；

多個(gè)第一鰭型結(jié)構(gòu)，位于所述主動(dòng)區(qū)域與所述第一埋入式柵極結(jié)構(gòu)相交的區(qū)域中，沿所述第一方向排列成一列，并被所述第一埋入式柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞包覆；以及

介電材料層，至少覆蓋所述第一字線隧道的表面，

其中所述隔離結(jié)構(gòu)未延伸至所述第一埋入式柵極結(jié)構(gòu)下方的所述介電材料層與所述襯底之間，

其中所述介電材料層為柵介電層，所述柵介電層的一部分位于所述第一鰭型結(jié)構(gòu)下方的所述襯底的凸部上，且與所述凸部接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，還包括導(dǎo)體層位于所述第一字線隧道中，且所述柵介電層的一部分與所述導(dǎo)體層共同組成第二埋入式柵極結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中所述介電材料層填滿所述第一字線隧道，作為絕緣結(jié)構(gòu)，且其中所述第一埋入式柵極結(jié)構(gòu)還包括導(dǎo)體層，所述柵介電層還覆蓋所述第一鰭型結(jié)構(gòu)的上表面與下表面，所述導(dǎo)體層覆蓋所述柵介電層且位于所述隔離結(jié)構(gòu)上方，且所述導(dǎo)體層的位于所述第一鰭型結(jié)構(gòu)上方的頂面與位于所述隔離結(jié)構(gòu)上方的頂面是共平面的。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，在所述襯底中還具有第二字線隧道，位于所述第一字線隧道下方，且所述第二字線隧道和所述第一字線隧道彼此不相通。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，還包括第三埋入式柵極結(jié)構(gòu)，位于所述第二字線隧道中，被所述襯底環(huán)繞包覆，并且在所述襯底中，所述第一埋入式柵極結(jié)構(gòu)、所述第二埋入式柵極結(jié)構(gòu)以及所述第三埋入式柵極結(jié)構(gòu)自上而下排列。