[發(fā)明專利]主動元件基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710879375.3 | 申請日: | 2017-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN107579080B | 公開(公告)日: | 2020-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 江逸凡 | 申請(專利權(quán))人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/66;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京市立康律師事務(wù)所 11805 | 代理人: | 梁揮;孟超 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 主動 元件 | ||
1.一種主動元件基板,其特征在于,包括:
多個像素單元,其中每一像素單元包括:
一掃描線,沿著一第一方向延伸;
一數(shù)據(jù)線,與該掃描線交錯;
一薄膜電晶體,與該掃描線及該數(shù)據(jù)線電性連接;
一像素電極,與該薄膜電晶體電性連接;以及
一共用電極,與該像素電極重疊,其中至少一像素單元的一掃描線具有一預設(shè)開口;以及
一預設(shè)圖案,與該共用電極屬于同一膜層,其中該預設(shè)圖案設(shè)置于該至少一像素單元的該掃描線上,該預設(shè)圖案具有相對的多個第一側(cè)邊以及相對的多個第二側(cè)邊;于一垂直投影方向上,該些第一側(cè)邊位于該掃描線的面積內(nèi)且與該第一方向垂直,該些第二側(cè)邊位于該掃描線的面積內(nèi)且與該第一方向平行。
2.如權(quán)利要求1所述的主動元件基板,其特征在于,該預設(shè)圖案包括:
一第一部,具有該些第一側(cè)邊且與該掃描線垂直;及
一第二部,具有該些第二側(cè)邊且與該掃描線平行。
3.如權(quán)利要求2所述的主動元件基板,其特征在于,該第一部電性連接于相鄰的兩個像素單元的兩個共用電極之間。
4.如權(quán)利要求2所述的主動元件基板,其特征在于,該第一部與該第二部連接。
5.如權(quán)利要求2所述的主動元件基板,其特征在于,該第一部與該第二部分離。
6.如權(quán)利要求1所述的主動元件基板,其特征在于,于該垂直投影方向上,該預設(shè)開口的垂直投影位于該預設(shè)圖案的垂直投影面積之外。
7.如權(quán)利要求6所述的主動元件基板,其特征在于,該預設(shè)開口的垂直投影位于該至少一像素單元的一薄膜電晶體的垂直投影與該預設(shè)圖案的垂直投影之間。
8.如權(quán)利要求1所述的主動元件基板,其特征在于,于該垂直投影方向上,該預設(shè)開口的垂直投影與該預設(shè)圖案的垂直投影重疊。
9.如權(quán)利要求8所述的主動元件基板,其特征在于,該預設(shè)開口的垂直投影位于該預設(shè)圖案的垂直投影面積之內(nèi)。
10.如權(quán)利要求1所述的主動元件基板,其特征在于,該預設(shè)開口為一封閉開口。
11.如權(quán)利要求10所述的主動元件基板,其特征在于,該封閉開口具有相對的多個第三側(cè)邊及相對的多個第四側(cè)邊,該些第三側(cè)邊與該第一方向垂直,該些第四側(cè)邊與該第一方向平行。
12.如權(quán)利要求1所述的主動元件基板,其特征在于,該預設(shè)開口為一開放開口。
13.如權(quán)利要求12所述的主動元件基板,其特征在于,該開放開口具有相對的多個第五側(cè)邊及連接于該些第五側(cè)邊之間的一第六側(cè)邊,該些第五側(cè)邊與該第一方向垂直,該第六側(cè)邊與該第一方向平行。
14.如權(quán)利要求6所述的主動元件基板,其特征在于,該預設(shè)開口的該垂直投影與該預設(shè)圖案的該垂直投影的最短距離為L,3μm≦L≦30μm。
15.如權(quán)利要求1所述的主動元件基板,其特征在于,該掃描線的不具該預設(shè)開口的其余部分的線寬一致。
16.如權(quán)利要求1所述的主動元件基板,其特征在于,該薄膜電晶體包括一閘極、一半導體層以及與該半導體層電性連接的一源極與一汲極,而該半導體層、該源極與該汲極位于該掃描線的上方。
17.如權(quán)利要求16所述的主動元件基板,其特征在于,該閘極為該掃描線的一部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





