[發明專利]一種半導體晶圓的保護方法在審
| 申請號: | 201710879323.6 | 申請日: | 2017-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN107799394A | 公開(公告)日: | 2018-03-13 |
| 發明(設計)人: | 顏維成;孫虹艷 | 申請(專利權)人: | 合肥新匯成微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/683 |
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| 地址: | 230000 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 保護 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體晶圓技術領域,具體涉及一種半導體晶圓的保護方法。
背景技術
在半導體產業中,一半導體裝置的制造包括對一晶圓的制造,其包括前段工藝及后段工藝以將電子元件(例如晶體管、電阻、電容等)在晶體中圖案化且形成內連線以構成集成電路。在晶圓制造結束之后,此晶圓被切割成單獨的晶粒然后進行封裝。
在前段工藝中的一部分,此晶圓可以進行嵌鑲工藝以形成例如是導線、接觸窗或是介層孔的電子內連線。為了形成嵌鑲結構,介電層形成于具有導電區域于其中的一基板之上。然后形成一開口于介電層中。此開口可以是接觸窗開口、介層孔開口、導線溝渠或是嵌鑲開口。此開口將此基板中的導電區域一部分裸露出來。一層金屬層然后形成于基板之上且完全覆蓋此開口。許多合適的金屬材料可以作為此金屬層,但在此處所描述的一范例中,此金屬層是使用銅或是銅合金(通常稱為銅)。在一范例中,此金屬層可以先形成一層薄的銅種子層然后再形成一層厚的金屬層,其通常被稱為“嵌鑲層”。在一范例中,此層薄的銅種子層可以使用物理氣相沉積(PVD)、或是化學氣相沉積(CVD)形成,而銅嵌鑲層可以使用電化學鍍(ECD)方式形成。
在施加金屬層于基板上之后,此晶圓可以藉由將其浸泡于溶液中來清潔以除去于施加此銅層時所產生的微粒。此清潔后的晶圓也可以利用例如是藉由旋轉此晶圓的方式加以干燥。最后,進行退火及化學機械研磨(CMP)以除去開口外的多余金屬材料。
此晶圓通常包括相對的主要前表面及后表面,并由一側邊連接在一起,此側邊通常是傾斜的。在嵌鑲工藝中,通常希望電鍍沉積的金屬層靠近晶圓的側邊但不會覆蓋其側邊。類似地,通常也不希望電鍍沉積的金屬層延伸于晶圓的側邊。因此,某些技術被開發出來以除去形成于晶圓側邊的電鍍沉積金屬層的部分,但相關業者仍希望對現存的技術做進一步的改進。
發明內容
本發明旨在提供了一種半導體晶圓的保護方法。
本發明提供如下技術方案:
一種半導體晶圓的保護方法,包括以下步驟:
(1)提供一半導體晶圓,該晶圓具有相對的主要前表面及后表面,施加一高分子涂布于該晶圓的該側邊,該高分子涂布施加于該側邊但是沒有施加于該晶圓的該主要前表面及后表面的至少一部分;
(2)在所述晶圓前表面形成緩沖層;在上述緩沖層上形成保護層,進行晶圓背部制程;去除保護層,再用清洗劑去除所述緩沖層。
所述步驟(1)中高分子涂布是形成一高分子層作為防止該嵌鑲層形成于該晶圓的該側邊的一阻障層。
所述步驟(1)中高分子涂布是在具有低壓力的惰性氣體下進行,以至少降低晶圓在該高分子液體固化時被氧化。
所述步驟(2)中緩沖層為光阻層。
所述步驟(2)中保護層為保護膠帶。
與現有技術相比,本發明的有益效果是:本發明利用光阻層作為晶圓正面與保護膠帶間的緩沖層,除具有保護晶圓正面器件的功能外,還可有效避免殘膠滯留在器件表面,進而提高器件的性能和良率。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
實施例一種半導體晶圓的保護方法,包括以下步驟:
(1)提供一半導體晶圓,該晶圓具有相對的主要前表面及后表面,施加一高分子涂布于該晶圓的該側邊,該高分子涂布施加于該側邊但是沒有施加于該晶圓的該主要前表面及后表面的至少一部分;
(2)在所述晶圓前表面形成緩沖層;在上述緩沖層上形成保護層,進行晶圓背部制程;去除保護層,再用清洗劑去除所述緩沖層。
所述步驟(1)中高分子涂布是形成一高分子層作為防止該嵌鑲層形成于該晶圓的該側邊的一阻障層。
所述步驟(1)中高分子涂布是在具有低壓力的惰性氣體下進行,以至少降低晶圓在該高分子液體固化時被氧化。
所述步驟(2)中緩沖層為光阻層。
所述步驟(2)中保護層為保護膠帶。
對于本領域技術人員而言,顯然本發明不限于所述示范性實施例的細節,而且在不背離本發明的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實現本發明。因此,無論從哪一點來看,均應將實施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本發明的范圍由所附權利要求而不是所述說明限定,因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本發明內。此外,應當理解,雖然本說明書按照實施方式加以描述,但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案,說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見,本領域技術人員應當將說明書作為一個整體,各實施例中的技術方案也可以經適當組合,形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





