[發明專利]一種半導體晶圓的清洗方法

在審

• 申請號: 201710879304.3
• 申請日: 2017-09-26
• 公開（公告）號: CN107799393A
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 江富杰;張飛凡
• 申請（專利權）人: 合肥新匯成微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/311;B08B3/12;B08B3/08;B08B3/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體晶圓的清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)提供半導體晶圓，半導體晶圓的正面涂布一層光刻膠；向半導體晶圓正面的光刻膠注入離子摻雜，以硬化該光刻膠；用濃氫氟酸溶劑刻蝕半導體晶圓背面的層次；去除半導體晶圓正面的光刻膠；

(2)旋轉半導體晶圓并使兆聲波發生器從半導體晶圓邊緣向半導體晶圓中心運動并過半導體晶圓中心點，在兆聲波發生器的運動過程中，改變兆聲波發生器在半導體晶圓表面停留的時間；

(3)再向半導體晶圓的邊緣表面噴涂去離子水和稀氫氟酸對所述半導體晶圓外表面進行清洗；

(4)對上述清洗的半導體晶圓進行吹干處理，吹干處理采用的氣體為氮氣，所述吹干處理采用的溫度范圍為45℃～65℃，所述吹干處理采用的時間范圍為80s～160s。

2.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓的清洗方法，其特征在于：所述步驟(1)中涂布的光刻膠的厚度為200nm-2000nm。

3.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓的清洗方法，其特征在于：所述步驟(3)中稀氫氟酸中氟化氫與水的體積比濃度為0.1％～5.0％，所述稀氫氟酸的清洗時間為5s～25s。

4.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓的清洗方法，其特征在于：所述步驟(3)中去離子水的溫度范圍為18℃～25℃，去離子水的流速范圍是5毫升/秒～12毫升/秒。

5.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓的清洗方法，其特征在于：所述步驟(2)中兆聲波發生器在晶圓表面停留的時間t與半導體晶圓的半徑R之間的關系為：t＝k+m*R2，其中，k為常數，m為系數。

6.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓的清洗方法，其特征在于：所述步驟(3)中向所述半導體晶圓的邊緣表面噴涂去離子水和稀氫氟酸時，所述半導體晶圓均速旋轉。