[發明專利]一種用于半導體晶圓減薄工藝的除蠟方法在審
| 申請號: | 201710879301.X | 申請日: | 2017-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN107742602A | 公開(公告)日: | 2018-02-27 |
| 發明(設計)人: | 周詩健;竇璨 | 申請(專利權)人: | 合肥新匯成微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 半導體 晶圓減薄 工藝 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體晶圓技術領域,具體涉及一種用于半導體晶圓減薄工藝的除蠟方法。
背景技術
半導體照明作為新型高效固體光源,具有壽命長、節能、環保、安全等顯著優點,將成為人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一次飛躍,其應用領域正在迅速擴大,正帶動傳統照明、顯示等行業的升級換代,其經濟效益和社會效益巨大。正因如此,半導體照明被普遍看作是21世紀最具發展前景的新興產業之一,也是未來幾年光電子領域最重要的制高點之一。發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs、GaP、GaAsP等半導體制成的,其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性,即正向導通,反向截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發光特性。在正向電壓下,電子由N區注入P區,空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子一部分與多數載流子復合而發光。
為了增加LED芯片的亮度,在制作過程中往往需要對LED芯片的襯底進行研磨減薄。現有的LED芯片研磨減薄工藝中,一般是采用工業蠟將其固定于陶瓷盤上然后再進行研磨減薄工藝。多余的工業蠟會對儀器及工藝造成不良的影響,故在研磨減薄前一般需要先去除多余的工業蠟。目前行業普遍使用的吸蠟紙是厚度3±2um,不吸水,不滯留顆粒,耐熱溫度約為80℃的工業用紙,這樣的工業紙雖然造價低廉,但是不能有效的吸除多余的蠟,它只能起到將蠟與設備隔離的作用。因此還需要其它的刮蠟工藝,而此工序一般比較繁瑣及耗時,不利于生產和成本的降低,為此,我們希望通過尋找替代品來改善吸蠟效果,并以此降低刮蠟時間,提高刮蠟效率。
發明內容
本發明旨在提供了一種用于半導體晶圓減薄工藝的除蠟方法。
本發明提供如下技術方案:
一種用于半導體晶圓減薄工藝的除蠟方法,包括以下步驟:
(1)提供一固定盤,于所述固定盤的預設位置形成工業蠟,并將至少一個半導體晶圓通過所述工業蠟粘合于所述固定盤;
(2)將去離子水放入清洗槽中,加熱到50-60℃,再將上述固定有半導體晶圓的固定盤置于配合超聲波作用,進行5-10min超聲處理,再烘干3-5min;
(3)對上述烘干的半導體晶圓的固定盤進行加壓冷卻處理,使多余的工業蠟從所述半導體晶圓周邊擠出,并被所述定性濾紙吸收,最后去除所述定性濾紙以完成除蠟。
所述定性濾紙的滯留粒徑為6-10um。
所述固定盤為圓形的陶瓷盤。
所述采用硅膠墊下壓的方式對所述半導體晶圓加壓使所述工業蠟從所述半導體晶圓周邊擠出。
與現有技術相比,本發明的有益效果是:本發明通過定性濾紙能在允許的時間內將蠟吸附,同時在高溫情況下不會發生硬化變形,普通平壓時不會發生破裂,各項參數指標性能都能滿足現有生產要求。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
實施例一種用于半導體晶圓減薄工藝的除蠟方法,包括以下步驟:
(1)提供一固定盤,于所述固定盤的預設位置形成工業蠟,并將至少一個半導體晶圓通過所述工業蠟粘合于所述固定盤;
(2)將去離子水放入清洗槽中,加熱到50-60℃,再將上述固定有半導體晶圓的固定盤置于配合超聲波作用,進行5-10min超聲處理,再烘干3-5min;
(3)對上述烘干的半導體晶圓的固定盤進行加壓冷卻處理,使多余的工業蠟從所述半導體晶圓周邊擠出,并被所述定性濾紙吸收,最后去除所述定性濾紙以完成除蠟。
所述定性濾紙的滯留粒徑為6-10um。
所述固定盤為圓形的陶瓷盤。
所述采用硅膠墊下壓的方式對所述半導體晶圓加壓使所述工業蠟從所述半導體晶圓周邊擠出。
對于本領域技術人員而言,顯然本發明不限于所述示范性實施例的細節,而且在不背離本發明的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實現本發明。因此,無論從哪一點來看,均應將實施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本發明的范圍由所附權利要求而不是所述說明限定,因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本發明內。此外,應當理解,雖然本說明書按照實施方式加以描述,但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案,說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見,本領域技術人員應當將說明書作為一個整體,各實施例中的技術方案也可以經適當組合,形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





