[發明專利]一種半導體晶圓UV固化方法在審
| 申請號： | 201710878978.1 | 申請日： | 2017-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN107818930A | 公開（公告）日： | 2018-03-20 |
| 發明（設計）人： | 顏維成;孫虹;李司元 | 申請（專利權）人： | 合肥新匯成微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 uv 固化 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體晶圓UV固化方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將含有至少一種摻質的半導體材料熔化后加入半導體晶圓中進行浸浴；再將含有摻質的補充性半導體材料添增在半導體晶圓中進行浸??；
(2)在浸浴的半導體晶圓的正上方布置UV燈組；在UV燈至半導體晶圓的光路上布置透光玻璃層；開啟UV燈，并且在使得UV燈在平行于半導體晶圓表面的平面上旋轉的情況下，利用UV燈發出的UV光照射半導體晶圓表面，以對半導體晶圓進行固化處理。
2.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓UV固化方法，其特征在于：所述補充性半導體材料按固體形式添增至半導體晶圓中進行浸浴，并且融化補充性半導體材料且混合于熔化半導體晶圓中。
3.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓UV固化方法，其特征在于：所述UV燈組中的所述多個UV燈的光強從中心向兩側依次增強。
4.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓UV固化方法，其特征在于：所述UV燈波長范圍280-315nm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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