[發明專利]一種半導體晶圓高效精度減薄方法

在審

• 申請號: 201710878968.8
• 申請日: 2017-09-26
• 公開（公告）號: CN107749391A
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發明（設計）人: 周詩健;王海勇
• 申請（專利權）人: 合肥新匯成微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/304
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體晶圓高效精度減薄方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)提供半導體晶圓，利用激光對晶圓邊緣進行修整，去除圓角處部分材料形成弧線形倒角，該弧線形倒角底端距圓角弧頂的距離為圓角倒角半徑，該弧線形倒角頂端距圓角結束端的距離為圓角倒角半徑，該弧線形倒角所在圓圓心低于晶圓中心面；

(2)將涂覆液均勻涂覆在半導體晶圓正面以及邊緣的倒角上，使涂覆液與半導體晶圓正面以及邊緣的倒角緊密粘貼，在60℃溫度下烘烤20min，涂覆液硬化形成覆蓋層，對半導體晶圓上的芯片實現無縫隙保護；

(3)按現有的粗磨工藝對半導體晶圓進行粗磨，砂輪進入磨削階段，砂輪向下進給速率為3.5μm/s-4μm/s，砂輪主軸轉速為1800-5000r/min，工件轉速為60-300r/min，半導體晶圓每轉磨削深度為700-960nm，當半導體晶圓的厚度為X+30μm時，X為目標厚度，磨削結束；再進行光磨5-8s；

(4)按現有的粗磨工藝對半導體晶圓進行精磨，砂輪轉速5000rpm-5500rpm，砂輪進給速度為0.8μm/s-1.0μm/s，半導體晶圓每轉的磨削深度為185-240nm，當半導體晶圓的厚度為X+10μm時結束；接近延性域磨削，當半導體晶圓達到目標厚度時結束整個過程；再進行光磨3s；

(5)用等離子水清洗去除裂化的覆蓋層，即得減薄后的半導體晶圓。

2.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓高效精度減薄方法，其特征在于：所述半導體晶圓的硬度在25GPa以下。

3.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓高效精度減薄方法，其特征在于：所述半導體晶圓的直徑在18英寸以下。

4.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓高效精度減薄方法，其特征在于：所述磨削砂輪的磨料為金剛石，顆粒的平均直徑小于4μm，對應的粒度大于#10000。

5.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓高效精度減薄方法，其特征在于：所述涂覆液是取聚酰亞氨溶液，再按所取聚酰亞氨溶液質量的20％取聚四氟乙稀，將聚四氟乙稀加入聚酰亞氨溶液中，滾動攪拌均勻，即得所述涂覆液。