[發明專利]一種電子束熔絲沉積導流咀及方法

有效

• 申請號: 201710878186.4
• 申請日: 2017-09-26
• 公開（公告）號: CN107649775B
• 公開（公告）日: 2019-09-24
• 發明（設計）人: 陳國慶;樹西;柳峻鵬;齊爽;張秉剛;馮吉才
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: B23K15/00
• 分類號: B23K15/00
• 代理公司: 哈爾濱市文洋專利代理事務所(普通合伙) 23210
• 代理人: 吳國清

1.一種電子束熔絲沉積導流咀，其特征在于：所述導流咀包括送絲導流咀(1)和加熱線圈(2)，所述送絲導流咀(1)由上至下依次為送絲段(1-1)、熔絲段(1-2)和導流段(1-3)，所述送絲導流咀(1)的內部沿軸線設有通孔(1-4)，送絲段(1-1)的通孔直徑小于熔絲段(1-2)的通孔直徑，導流段(1-3)的通孔直徑小于送絲段(1-1)的通孔直徑，送絲段(1-1)的通孔直徑與金屬絲材(5)的直徑相同，送絲導流咀(1)的上方管壁上且位于送絲段(1-1)與熔絲段(1-2)的交界處開設有與通孔(1-4)相通的圓孔(1-5)，送絲導流咀(1)的內壁靠近熔絲段(1-2)末端部位設有儲液凹槽(1-6)，所述加熱線圈(2)套裝在導流咀(1)上且位于儲液凹槽(1-6)的部位。

2.根據權利要求1所述的電子束熔絲沉積導流咀，其特征在于：所述圓孔(1-5)的上端設有錐形凹槽(1-7)。

3.根據權利要求1或2所述的電子束熔絲沉積導流咀，其特征在于：所述送絲導流咀(1)可設計為分體式，可沿軸線一分為二。

4.根據權利要求3所述的電子束熔絲沉積導流咀，其特征在于：所述送絲導流咀(1)的材質為氮化硼陶瓷或鎢。

5.根據權利要求4所述的電子束熔絲沉積導流咀，其特征在于：所述儲液凹槽(1-6)為半球形，其半球直徑為3mm～8mm。

6.一種利用權利要求1所述電子束熔絲沉積導流咀實現電子束熔絲沉積方法，其特征在于：所述方法是通過以下步驟實現的：

步驟一、將金屬絲材(5)由送絲導流咀(1)的送絲段(1-1)的通孔中送入；

步驟二：電子束(3)從圓孔(1-5)穿入直接作用在金屬絲材(5)上，使絲材熔化形成液態金屬；

步驟三：金屬絲材(5)在電子束(3)作用下熔化后經過儲液凹槽(1-6)流落至基板(7)后凝固成沉積金屬(4)，至此，完成熔絲沉積加工。

7.根據權利要求6所述的電子束熔絲沉積方法，其特征在于：所述步驟三中在液態金屬(6)流出送絲導流咀(1)沉積至基板(7)時，工作臺(8)按照預設的路徑行走，其行走速度為200mm/min～500mm/min，沉積過程中可以適當斷續加快送絲速度保證儲液凹槽(1-6)內有液態金屬(6)。