[發(fā)明專利]一種高散熱性的SMP貼片式二極管在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710876865.8 | 申請日: | 2017-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN107689352A | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 任志紅 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州元捷半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/367;H01L29/861 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215153 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 散熱 smp 貼片式 二極管 | ||
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種高散熱性的SMP貼片式二極管,涉及貼片二極管技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
貼片二極管又稱晶體二極管,另外,還有早期的真空電子二極管;它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個PN結(jié)兩個引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流的轉(zhuǎn)導(dǎo)性。一般來講,貼片晶體二極管是一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層,構(gòu)成自建電場。當(dāng)外加電壓等于零時,由于p-n 結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),這也是常態(tài)下的二極管特性,而目前很多的貼片二極管的體積較大,因而不能滿足市場上對于小型化和薄型化需求。
發(fā)明內(nèi)容:
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:提供一種結(jié)構(gòu)簡單、體積小且散熱效果好的SMP貼片式二極管。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
一種高散熱性的SMP貼片式二極管,包括框架、芯片、引腳、絕緣塑封層以及散熱片,所述芯片置于框架內(nèi),所述引腳包括第一引腳以及第二引腳,所述第一引腳、第二引腳的一端連接框架且通過連接片分別與芯片的輸入端、輸出端連接,所述框架、芯片以及第一引腳、第二引腳端部均通過絕緣塑封層封裝焊接在一起,所述第一引腳以及第二引腳的自由端左右延伸且均與絕緣塑封層的底部平齊,所述第一引腳的端部設(shè)置為T型且貼合內(nèi)嵌于絕緣塑封層底部,所述散熱片覆蓋固定于絕緣塑封層的背部。
作為優(yōu)選,所述框架設(shè)置為銅質(zhì)框架。
作為優(yōu)選,所述散熱片鑲嵌于絕緣塑封層的背面且設(shè)置為銅質(zhì)金屬散熱片。
作為優(yōu)選,所述絕緣塑封層設(shè)置為環(huán)氧樹脂塑封材料層。
作為優(yōu)選,所述散熱片距離絕緣塑封層的底部距離為1.3mm。
作為優(yōu)選,所述第一引腳的端部的T型片寬度設(shè)置為4mm。
作為優(yōu)選,所述絕緣塑封層的寬度設(shè)置為5.9mm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益之處是:所述高散熱性的SMP貼片式二極管采用銅質(zhì)散熱片結(jié)構(gòu),具有以下優(yōu)點:
1、有效提高了散熱效果,大幅提高了工作時的額定電流,能應(yīng)對的最大額定電流達到15A,最大正向峰值浪涌電流達到200A,最大輸入電壓達1200V,最高工作溫度達150°;
2、 可以使用在AC/DC電源前端整流,以及整流后的蓄流端,有效替換目前的插件快恢復(fù)系列二極管;
3、 較大程度減小了整體裝置的體積,滿足市場關(guān)于產(chǎn)品小型化和薄型化需求;
4、 其芯片采用SIPOS工藝的玻璃鈍化保護技術(shù),高溫工作下反向漏電更小,可靠性更好。
附圖說明:
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進一步說明:
圖1是本發(fā)明的側(cè)面剖視結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明的仰視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式:
下面將對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅是本發(fā)明的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍:
如圖1、圖2所示的一種高散熱性的SMP貼片式二極管,包括框架1、芯片2、引腳、絕緣塑封層3以及散熱片4。
所述芯片2置于框架1內(nèi),作為優(yōu)選實施方案,在本實施例中,所述框架1設(shè)置為銅質(zhì)框架,繼而有效提高導(dǎo)通效果,在本實施例中,所述芯片采用SIPOS工藝的玻璃鈍化保護技術(shù)制成,因而高溫工作下反向漏電更小,可靠性更好。
所述引腳包括第一引腳5以及第二引腳6,所述第一引腳5、第二引腳6的一端連接框架1且通過連接片分別與芯片2的輸入端、輸出端連接,所述框架1、芯片2以及第一引腳5、第二引腳6端部均通過絕緣塑封層3封裝焊接在一起,作為優(yōu)選實施方案,為提高封裝效果,絕緣塑封層3設(shè)置為環(huán)氧樹脂塑封材料層。
所述第一引腳5以及第二引腳6的自由端左右延伸且均與絕緣塑封層3的底部平齊,所述第一引腳5的端部設(shè)置為T型且貼合內(nèi)嵌于絕緣塑封層3底部,所述散熱片4覆蓋固定于絕緣塑封層3的背部,進一步地,散熱片4鑲嵌于絕緣塑封層3的背面且設(shè)置為銅質(zhì)金屬散熱片,因而,強散熱性的銅質(zhì)金屬散熱片能有效提高整體結(jié)構(gòu)的散熱效果,因而方便縮小整體裝置的體積和厚度,滿足市場上對于貼片二極管的小型化和薄型化的需求,實用性和經(jīng)濟效益高。
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