[發明專利]一種陣列基板和陣列基板的制造方法

在審

• 申請號: 201710874626.9
• 申請日: 2017-09-25
• 公開（公告）號: CN107863353A
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 卓恩宗;楊鳳云
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙)44240
• 代理人: 王麗

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括步驟：

在基板上形成柵極金屬，并在柵極金屬上方形成柵極絕緣層；

在柵極絕緣層的上方依次形成非晶硅層、N型非晶硅層和金屬層；

在金屬層的上方形成光阻層，通過第一道光罩形成位于所述柵極金屬上方的第一非晶硅層、第一N型非晶硅層以及相對設置的源極金屬和漏極金屬，以形成開關組件；同時，在柵極絕緣層延伸部上蝕刻得到第二非晶硅層、第二N型非晶硅層和光傳感金屬，以形成光傳感器；

在所述源極金屬、漏極金屬和光傳感金屬的上方形成光傳感層和鈍化層；

通過第二道光罩蝕刻形成位于源極金屬和漏極金屬的第一光傳感層和第一鈍化層，以及形成位于光傳感金屬上方的第二光傳感層和第二鈍化層。

2.如權利要求1所述的一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述通過第二道光罩蝕刻形成位于源極金屬和漏極金屬的第一光傳感層和第一鈍化層，以及形成位于光傳感金屬上方的第二光傳感層和第二鈍化層的步驟還包括：

通過第二道光罩將開關組件和光傳感器之間的光傳感層和鈍化層蝕刻清除，形成位于源極金屬和漏極金屬的第一光傳感層和第一鈍化層，以及形成位于光傳感金屬上方的第二光傳感層和第二鈍化層；

在所述第一鈍化層對應所述漏極金屬的上方蝕刻出一個洞穿所述第一光傳感層并延伸至所述漏極金屬上表面的凹槽；

將所述第二鈍化層蝕刻形成位于所述第二光傳感層上表面兩端，通過通槽間隔對應設置的第一鈍化塊和第二鈍化塊；

清除所述光阻層，在所述第一鈍化層上方形成第一電極層，并在所述第二鈍化層的上方形成第二電極層。

3.如權利要求2所述的一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一電極層填滿所述凹槽并延伸至所述第一鈍化層的上表面；

所述第二電極層形成在所述第一鈍化塊、第二鈍化塊和通槽的上方；

所述第一電極層和第二電極層在同一層；

所述第二道光罩為半色調掩膜光罩。

4.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板，

開關組件，設置在所述基板上；

光傳感器，設置在所述基板上、開關組件的一側；

光傳感金屬，設置在所述光傳感器下部；

所述開關組件包括與所述光傳感金屬在同一層的源極金屬和漏極金屬；

所述開關組件包括形成在所述源極金屬和漏極金屬上方的第一光傳感層，以及形成在所述第一光傳感層上方的第一鈍化層；

所述光傳感器包括形成在所述光傳感金屬上方的第二光傳感層，以及形成在所述第二光傳感層上方的第二鈍化層；

所述第一光傳感層和第二光傳感層在同一層，所述第一鈍化層和第二鈍化層在同一層；

所述開關組件包括漏極金屬；

所述光傳感器包括形成在所述柵極絕緣層延伸部上的第二非晶硅層和第二N型非晶硅層，所述光傳感金屬形成在所述第二N型非晶硅層上方；

所述第一非晶硅層和第二非晶硅層在同一層，所述第一N型非晶硅層和第二N型非晶硅層在同一層；

所述第一鈍化層對應所述漏極金屬的上方形成有第一電極層；

所述第一鈍化層對應漏極金屬的上方設置有凹槽，所述凹槽從所述第一鈍化層的上表面開始，洞穿所述第一光傳感層，并延伸至所述漏極金屬的上表面；

所述第一電極層填滿所述凹槽并延伸至所述第一鈍化層的上表面；

所述第二鈍化層上形成有第二電極層；

所述第二鈍化層包括在所述第二光傳感層上表面兩端，通過通槽間隔對應設置的第一鈍化塊和第二鈍化塊；

所述第二電極層形成在所述第一鈍化塊、第二鈍化塊和通槽的上方。

5.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板，

開關組件，設置在所述基板上；

光傳感器，設置在所述基板上、開關組件的一側；

光傳感金屬，設置在所述光傳感器下部；

所述開關組件包括與所述光傳感金屬在同一層的源極金屬和漏極金屬。