[發明專利]一種發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201710874072.2
• 申請日: 2017-09-25
• 公開（公告）號: CN107681026B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 林志偉;陳凱軒;劉兆;呂奇孟;蔡海防
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/14;H01L33/42
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱宗力;王寶筠

1.一種發光二極管，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底表面的外延結構，所述外延結構至少包括第一型限制層、有源區、第二型限制層和第二型電流擴展層；

位于所述襯底背離所述外延結構表面的第一電極；

位于所述第二型電流擴展層表面的重摻雜第二型電流擴展層，所述重摻雜第二型電流擴展層的摻雜濃度大于所述第二型電流擴展層的摻雜濃度；

所述重摻雜第二型電流擴展層包括多個擴展層單元、多個第一類凹槽和一個第二類凹槽，所述多個第一類凹槽和一個第二類凹槽分布于相鄰所述擴展層單元之間，所述第一類凹槽暴露出所述第二型電流擴展層，所述第二類凹槽暴露出所述第二型電流擴展層的電極區域；

位于所述第二類凹槽底部以及緊鄰所述第二類凹槽的擴展層單元背離所述襯底一側的電流阻擋層；

覆蓋所述重摻雜第二型電流擴展層、第二型電流擴展層裸露表面以及位于擴展層單元背離所述襯底一側表面的電流阻擋層背離所述襯底一側表面的透明導電層；

覆蓋位于所述第二類凹槽底部的電流阻擋層表面以及部分透明導電層表面的第二電極。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第二型電流擴展層的摻雜濃度的取值范圍為10¹⁷cm^-3-5×10¹⁸cm^-3，包括端點值；

所述重摻雜第二型電流擴展層的摻雜濃度的取值范圍為5×10¹⁸cm^-3-10²⁰cm^-3，包括端點值。

3.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述第一類凹槽的寬度不小于所述第二類凹槽的寬度。

4.一種發光二極管的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底表面生長有外延結構，所述外延結構至少包括第一型限制層、有源區、第二型限制層和第二型電流擴展層；

在所述外延結構表面生長重摻雜第二型電流擴展層，并對所述重摻雜第二型電流擴展層進行刻蝕，形成多個擴展層單元、多個第一類凹槽和一個第二類凹槽，所述多個第一類凹槽和一個第二類凹槽分布于相鄰所述擴展層單元之間，所述第一類凹槽暴露出所述第二型電流擴展層，所述第二類凹槽暴露出所述第二型電流擴展層的電極區域；

形成覆蓋所述第二類凹槽底部以及緊鄰所述第二類凹槽的擴展層單元背離所述襯底一側表面的電流阻擋層；

在覆蓋所述重摻雜第二型電流擴展層、第二型電流擴展層裸露表面以及位于擴展層單元背離所述襯底一側表面的電流阻擋層背離所述襯底一側表面生長透明導電層；

覆蓋位于所述第二類凹槽底部的電流阻擋層表面及部分透明導電層表面形成第二電極；

在所述襯底背離所述外延結構一側表面形成第一電極。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二型電流擴展層的摻雜濃度的取值范圍為10¹⁷cm^-3-5×10¹⁸cm^-3，包括端點值；

所述重摻雜第二型電流擴展層的摻雜濃度的取值范圍為5×10¹⁸cm^-3-10²⁰cm^-3，包括端點值。