技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽能光伏技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種晶體硅太陽能電池?zé)嵫豕に嚒?/p>

背景技術(shù)

近年來，太陽能電池片生產(chǎn)技術(shù)不斷進步，生產(chǎn)成本不斷降低，轉(zhuǎn)換效率不斷提高，使得光伏發(fā)電的應(yīng)用日益普及并迅猛發(fā)展，逐漸成為電力供應(yīng)的重要來源。太陽能電池片可以在陽光的照射下，把光能轉(zhuǎn)換為電能，實現(xiàn)光伏發(fā)電。

太陽能電池片的生產(chǎn)工藝比較復(fù)雜，簡單說來，太陽能電池的制作過程主要包括：制絨、擴散、刻蝕、熱氧、PECVD鍍膜、絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)、測試等。太陽電池片是一種將光能轉(zhuǎn)換成電能的電池片,它對光的吸收和利用直接決定著轉(zhuǎn)換效率和輸出功率. 為了提高晶體硅太陽電池對光的吸收,減少光在硅片表面的反射,通常采取表面織構(gòu)以及沉積減反射薄膜的方法,從而改善電池片性能. 目前,工業(yè)化生產(chǎn)中常采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD) 系統(tǒng)在硅片表面沉積氮化硅薄膜,但是氮化硅與晶體硅界面由于晶格失配嚴重,會導(dǎo)致嚴重的界面復(fù)合,其性質(zhì)遠不如二氧化硅和晶體硅 . 為同時達到比較理想的鈍化和減反效果,采用熱氧工藝低溫生長二氧化硅薄膜, 然后再PECVD 沉積氮化硅膜,優(yōu)化的二氧化硅、氮化硅雙層膜能起到鈍化和減反射的雙重作用,明顯改善太陽電池對光的吸收利用和光生載流子的輸出。因此，提出一種在刻蝕后硅片表面制備一層均勻性，致密性較好的氧化層的方法，對提高鈍化和減反射的作用，最終提高太陽能電池轉(zhuǎn)化效率顯得尤為重要。

發(fā)明內(nèi)容

一種晶體硅太陽能電池?zé)嵫豕に嚕?經(jīng)過刻蝕后，在硅片絨面上制備一層二氧化硅致密的氧化膜。

一種晶體硅太陽能電池?zé)嵫豕に?所述二氧化硅致密的氧化膜是使用熱氧爐進行熱氧工藝制備而成。

一種晶體硅太陽能電池?zé)嵫豕に嚕核鰺嵫豕に嚢ㄒ韵虏襟E：

(1)將硅片進行制絨、擴散、刻蝕。

(2)將刻蝕后的硅片在熱氧爐中進行熱氧工藝，使硅片絨面在熱氧工藝中氧化得到2-12nm的二氧化硅致密的氧化膜。

(3)將制備好的硅片進行PECVD鍍膜,絲網(wǎng)正反面電極印刷，燒結(jié)、測試。

4. 一種晶體硅太陽能電池?zé)嵫豕に嚕翰襟E（3）中的熱氧工藝控制氧氣流量為1-5L/min，氮氣為5-30L/min，時間為10-30min。

5.一種晶體硅太陽能電池?zé)嵫豕に嚐嵫豕に嚬?個步驟，分別為：（1)準備階段；（2）進舟階段；（3）出舟階段；（4）檢漏階段；（5）加熱階段；(6）熱氧化階段；(7）冷卻階段；(8）進舟階段；(9)出舟階段。

具體實施方式

實施例1：

一種晶體硅太陽能電池?zé)嵫豕に嚕喝」杵娮杪蕿?-3Ω.cm， 156.75mmX156.75mm 規(guī)格的P型多晶硅片500pcs，將硅片進行制絨、擴散、刻蝕，上述步驟中關(guān)閉臭氧發(fā)生器，將刻蝕后的硅片在熱氧爐中進行熱氧工藝，使硅片絨面在熱氧工藝中氧化形成氧化膜，熱氧工藝的氧氣流量為1.2L/min，氮氣流量為8L/min，時間為16min，將制備好的硅片進行PECVD鍍膜,絲網(wǎng)正反面電極印刷，燒結(jié)，測試。

實施例2

一種晶體硅太陽能電池?zé)嵫豕に嚕喝」杵娮杪蕿?-3Ω.cm 156.75mmX156.75mm 規(guī)格的P型多晶硅片500pcs，將硅片進行制絨、擴散、刻蝕，上述步驟中關(guān)閉臭氧發(fā)生器，將刻蝕后的硅片在熱氧爐中進行熱氧工藝，使硅片絨面在熱氧工藝中氧化形成氧化膜，熱氧工藝的氧氣流量為1L/min，氮氣流量為5L/min，時間為10min，將制備好的硅片進行PECVD鍍膜,絲網(wǎng)正反面電極印刷，燒結(jié)，測試。

實施例3

一種晶體硅太陽能電池?zé)嵫豕に嚕喝」杵娮杪蕿?-3Ω.cm ，156.75mmX156.75mm 規(guī)格的P型多晶硅片500pcs，將硅片進行制絨、擴散、刻蝕，上述步驟中關(guān)閉臭氧發(fā)生器，將刻蝕后的硅片在熱氧爐中進行熱氧工藝，使硅片絨面在熱氧工藝中氧化形成氧化膜，熱氧工藝的氧氣流量為5L/min，氮氣流量為30L/min，時間為30min，將制備好的硅片進行PECVD鍍膜,絲網(wǎng)正反面電極印刷，燒結(jié)，測試。

實施例4