[發(fā)明專利]基于一維光子晶體耦合微腔的光學(xué)生物傳感器制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710873280.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108288580B | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王卓然;袁國(guó)慧;彭芳草;管磊;彭真明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L21/027 | 分類號(hào): | H01L21/027;G03F7/20;G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司: | 成都宏順專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 周永宏 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 光子 晶體 耦合 光學(xué) 生物 傳感器 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種基于一維光子晶體耦合微腔的光學(xué)生物傳感器制備方法,包括以下步驟:S1、清洗SOI樣品;S2、將SOI樣品放置在在170~200℃溫度的恒溫箱中烘2~5min;S3、采用旋涂的方式在樣品上涂覆光刻膠;S4、將樣品放置在在170~200℃溫度的恒溫箱中烘10~15min;S5、對(duì)樣品進(jìn)行電子束曝光,曝光圖形為一維光子晶體耦合微環(huán)諧振腔結(jié)構(gòu);S6、對(duì)曝光處理后的樣品依次進(jìn)行顯影、定影操作;S7、采用ICP對(duì)樣品進(jìn)行刻蝕操作;S8、對(duì)樣品采用Piranha溶液清洗后,使用DI水沖洗,再采用HF溶液清洗,最后用DI水沖洗。本發(fā)明的制備方法制作的光學(xué)生物傳感器具有靈敏度高、探測(cè)極限小、易于集成等特性,對(duì)設(shè)備要求簡(jiǎn)單,工藝上容易實(shí)現(xiàn),適合大量生產(chǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光學(xué)生物傳感技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種基于一維光子晶體耦合微腔的光學(xué) 生物傳感器制備方法。
背景技術(shù)
目前得到應(yīng)用的生物傳感器有其探測(cè)機(jī)制而言有電化學(xué)生物傳感器、光學(xué)生物傳感器、 熱生物傳感器、半導(dǎo)體生物傳感器、電導(dǎo)/阻抗生物傳感器和聲波生物傳感器等。其中,光 學(xué)生物傳感器具有無損操作模式、抗電磁干擾、高靈敏度、高速信號(hào)產(chǎn)生、高速讀取速率 等優(yōu)點(diǎn),具有非常廣闊的前景,受到越來越廣泛的關(guān)注。
SOI光學(xué)生物傳感器是本領(lǐng)域的研究熱點(diǎn),從現(xiàn)有的基于SOI的光學(xué)生物傳感器來看, 大多采用了倏逝波探測(cè)原理,即周圍媒介的折射率或濃度的改變會(huì)導(dǎo)致波導(dǎo)有效折射率的 改變,而有效折射率的改變會(huì)導(dǎo)致光譜的移動(dòng)。用光電探測(cè)器檢測(cè)光譜的移動(dòng)即可得知被 測(cè)物質(zhì)的濃度或折射率信息。為了得到性能優(yōu)異的SOI生物傳感器,制備方案變得尤為關(guān) 鍵。
SOI光學(xué)生物傳感器的實(shí)驗(yàn)制備主要有濕法刻蝕和干法刻蝕兩種。其中濕法刻蝕是通過 掩模板遮擋,使腐蝕溶液只對(duì)暴露在外的樣品部分進(jìn)行刻蝕,正是通過這種選擇性刻蝕, 最終形成所需要的傳感器結(jié)構(gòu)。在濕法刻蝕過程中,由于被刻蝕樣品和刻蝕溶液的反應(yīng)受 諸多因素的影響,使得刻蝕過程不易控制,而且橫向刻蝕的寬度都接近于垂直刻蝕的深度。 因此,圖形刻蝕保真不理想,刻蝕圖形的最小線寬難以控制。對(duì)于干法刻蝕而言,最常用 的方法為等離子體刻蝕(Plasma Etching)。相較于濕法刻蝕,這種方法刻蝕速率偏低,但是 卻能對(duì)刻蝕過程達(dá)到很好的控制。此外,對(duì)于光波導(dǎo)的側(cè)壁,其垂直程度會(huì)得到一定程度 的改善。
因此,如何用優(yōu)異的工藝制備一種靈敏度高、探測(cè)極限小、易于集成的高性能生物傳 感器成為新的研究方向。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種基于一維光子晶體耦合微腔的光學(xué) 生物傳感器制備方法,首先通過清洗去除SOI表面的附著物、氧化物和有機(jī)物并烘干,然 后采用旋涂的方式在預(yù)烘處理后的樣品上涂覆光刻膠并烘干,再進(jìn)行一維光子晶體耦合微 腔的電子束曝光并顯定影,最后通過ICP對(duì)樣品進(jìn)行刻蝕并清洗,得到一種靈敏度高、探 測(cè)極限小、易于集成。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:基于一維光子晶體耦合微腔的光學(xué)生物 傳感器制備方法,包括以下步驟:
S1、預(yù)處理,清洗SOI樣品;
S2、預(yù)烘,將經(jīng)過預(yù)處理的SOI樣品放置在在170~200℃溫度的恒溫箱中烘2~5min, 再冷卻至室溫;
S3、涂膠,采用旋涂的方式在預(yù)烘處理后的樣品上涂覆光刻膠;
S4、后烘,將涂膠后的樣品放置在在170~200℃溫度的恒溫箱中烘10~15min,再冷卻 至室溫;
S5、曝光,對(duì)后烘處理后的樣品進(jìn)行電子束曝光,曝光圖形為一維光子晶體耦合微環(huán) 諧振腔結(jié)構(gòu);
S6、顯影、定影,對(duì)曝光處理后的樣品依次進(jìn)行顯影、定影操作,再用IPA溶液進(jìn)行清洗;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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