[發(fā)明專利]絕緣柵雙極晶體管、IPM模塊以及空調(diào)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710872869.9
• 申請(qǐng)日: 2017-09-22
• 公開（公告）號(hào): CN107591443A
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮宇翔;甘弟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東美的制冷設(shè)備有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/739
• 分類號(hào): H01L29/739;H01L29/08
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所44287
• 代理人: 胡海國

1.一種絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，包括:

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底沿其厚度方向依次形成有集電極區(qū)、漂移區(qū)及有源區(qū)；所述有源區(qū)包括溝槽柵極區(qū)、阱區(qū)以及發(fā)射極區(qū)，所述發(fā)射極區(qū)嵌入設(shè)置在所述阱區(qū)中，所述溝槽柵極區(qū)自所述發(fā)射極區(qū)延伸至所述漂移區(qū)，所述阱區(qū)連接所述發(fā)射極區(qū)和所述漂移區(qū)；

所述集電極區(qū)的摻雜濃度小于或等于8*10¹⁷/cm^-3，所述發(fā)射極區(qū)的摻雜濃度大于或等于5*10¹⁹/cm^-3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述阱區(qū)的摻雜濃度小于或等于4*10¹⁶/cm^-3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述漂移區(qū)的摻雜濃度為1*10¹⁴/cm^-3～6*10¹⁴/cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述集電極區(qū)的厚度為0.4um～1.0um。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述阱區(qū)的厚度為1.0um～2.5um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述阱區(qū)的厚度與所述發(fā)射極區(qū)的厚度之差為1um～2um。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述發(fā)射極區(qū)的摻雜類型為N型摻雜，所述集電極區(qū)的摻雜類型為P型摻雜，所述阱區(qū)的摻雜類型為P型摻雜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述集電極包括第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域；所述第一摻雜區(qū)域的摻雜濃度高于第二摻雜區(qū)域的摻雜濃度。

9.一種IPM模塊，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的絕緣柵雙極晶體管。

10.一種空調(diào)器，其特征在于，所述空調(diào)器包括如權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的絕緣柵雙極晶體管，和/或包括如權(quán)利要求9所述的IPM模塊。