[發(fā)明專利]功率放大電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710872537.0 | 申請日： | 2017-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN108111135B | 公開（公告）日： | 2019-08-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 田中聰;長谷昌俊;本多悠里;渡邊一雄;曾我高志 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H03F3/21 | 分類號： | H03F3/21;H03F3/19;H03F3/24;H03F1/02;H03F1/56 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 張鑫 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體管 功率放大電路 偏置電流 無線頻率信號 第一電容器 電源電壓 偏置電路 電感器 集電極 最大輸出功率 發(fā)射極接地 集電極連接 集電極輸出 放大信號 抑制電路 發(fā)射極 增大的 接地 放大 | ||
1.一種功率放大電路，其特征在于，包括：
第一晶體管；
第二晶體管；
第一偏置電路，該第一偏置電路提供第一偏置電流或電壓；
第二偏置電路，該第二偏置電路提供第二偏置電流或電壓；
第一電感器；以及
第一電容器，
對所述第一晶體管的集電極提供電源電壓，
所述第一晶體管的發(fā)射極接地，
對所述第一晶體管的基極提供無線頻率信號以及所述第一偏置電流或電壓，
對所述第二晶體管的集電極提供所述電源電壓，
所述第二晶體管的發(fā)射極通過所述第一電容器與所述第一晶體管的集電極連接，并且通過所述第一電感器接地，
對所述第二晶體管的基極提供所述第二偏置電流或電壓，
從所述第二晶體管的集電極輸出將所述無線頻率信號放大后的放大信號。
2.如權利要求1所述的功率放大電路，其特征在于，
所述功率放大電路包括，
電壓調(diào)整電路，該電壓調(diào)整電路調(diào)整所述第二晶體管的基極電壓。
3.如權利要求2所述的功率放大電路，其特征在于，
所述電壓調(diào)整電路包括，
第二電容器，該第二電容器一端連接至所述第二晶體管的基極，另一端接地。
4.如權利要求2或3所述的功率放大電路，其特征在于，
所述電壓調(diào)整電路，
在所述第二偏置電路與所述第二晶體管的基極之間包括第二電感器。
5.如權利要求1至3的任一項所述的功率放大電路，其特征在于，
所述功率放大電路還包括：
第三晶體管；
第三偏置電路，該第三偏置電路提供第三偏置電流或電壓；
第三電感器；以及
第三電容器，
對所述第三晶體管的集電極提供所述電源電壓，
所述第三晶體管的發(fā)射極通過所述第三電容器與所述第二晶體管的集電極連接，并且通過所述第三電感器接地，
對所述第三晶體管的基極提供所述第三偏置電流或電壓，
從所述第三晶體管的集電極輸出將所述無線頻率信號放大后的放大信號。
6.如權利要求1至3的任一項所述的功率放大電路，其特征在于，
所述第一電容器被安裝至安裝有所述第一及第二晶體管的集成電路。
7.如權利要求1至3的任一項所述的功率放大電路，其特征在于，
所述第一電感器被安裝至與安裝有所述第一及第二晶體管的集成電路不同的基板。
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