[發(fā)明專利]一種寬譜輻射探測器吸收層的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710872180.6 | 申請日: | 2017-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN109560164B | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 冉錚惠;徐德;王霓;丁宇潔;王艷茹;李鳳保 | 申請(專利權)人: | 綿陽瑾源信息技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市盈科律師事務所 11344 | 代理人: | 李兆嶺 |
| 地址: | 621000 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 輻射 探測器 吸收 制備 方法 | ||
1.一種寬譜輻射探測器吸收層的制備方法,寬譜輻射探測器吸收層從頂層至底層依次為太赫茲主吸收層、電加熱層、電絕緣層、太赫茲反射層,其特征在于:所述寬譜輻射探測器吸收層厚度控制在0.2mm~0.5mm之間,所述寬譜輻射探測器吸收層制備方法如下:
步驟1:取基底材料作為第3層電絕緣層,電絕緣層選用0.3mm厚度、50mm×50mm的陶瓷片作為基底材料制成;
步驟2:選用占比5%~30%的RD65724電阻漿料和占比70%~95%的3M黑漆并添加固化劑或導熱劑輔助材料,均勻混合制作而成電加熱層材料;
電加熱層材料與粘合劑均勻混合,通過噴涂方式在電絕緣層某一面上形成第2層,隨后通過晾曬或烘干的方式使第2層固化在第3層上;
步驟3:選用改性多壁碳納米粉與納米四氧化鐵粉的組合,各自占比2.5%~15%,粘合劑選用3M黑漆并添加固化劑或導熱劑輔助材料,占比70%~95%,采用粘合劑將高分子材料均勻混合,制作而成太赫茲主吸收層材料;
太赫茲主吸收層材料通過噴涂方式在電加熱層上形成第1層,隨后通過晾曬或烘干的方式使第1層固化在第2層上;
步驟4:選用銀漿,占比5%~30%作為薄膜樣涂層材料,粘合劑選用3M黑漆并添加固化劑或導熱劑輔助材料,占比70%~95%,采用粘合劑將材料均勻混合制作而成太赫茲反射層材料;
太赫茲反射層材料,通過噴涂方式在電絕緣層另一面上形成第4層,隨后通過晾曬或烘干的方式使第4層固化在第3層的另一面上,完成制備;
以上步驟中所述的粘合劑噴涂是指用噴槍噴涂、敷涂、刷涂或濺射;所述的晾曬為自然干燥,烘干為電加熱干燥,電加熱干燥溫度為50℃~150℃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





