[發明專利]一種熱敏電阻銅電極多功能防護膜層及其制備方法

有效

• 申請號: 201710872126.1
• 申請日: 2017-09-25
• 公開（公告）號: CN107731434B
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 汪洋
• 申請（專利權）人: 江蘇時恒電子科技有限公司
• 主分類號: H01C1/148
• 分類號: H01C1/148;H01C7/04;H01C17/28;C23C14/18;C23C14/35
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種熱敏電阻銅電極多功能防護膜層的制備方法，包括以下步驟：

步驟1)對半導體熱敏電阻陶瓷基體進行刻蝕、清洗、干燥；

步驟2)在步驟1)所述的陶瓷基體上采用射頻磁控濺射制備銅薄膜作為電極；步驟3)將步驟2)制備的銅電極置于膠體溶液中進行靜電化處理5～15min，并用去離子水清洗；

步驟4)取500mL燒杯，倒入無水乙醇400mL，首先將0.1～0.3g十二烷基硫醇溶于乙醇溶液，攪拌均勻后靜置15min；加入潤濕劑10～20mL；將溶液加熱至70～80℃，加入10～20g脂松香并攪拌5～10min完全溶解，最后加入2～3g增流劑調節混合溶液流動性，制成混合溶液；

步驟5)將經步驟3)處理后的銅電極迅速轉移到磁力攪拌的混合溶液中浸鍍膜層，時間5～30min，然后取出靜置1h，在銅電極表面制備出0.2～1.0μm厚的多功能膜層；

步驟6)用丙酮對經步驟5)處理的銅電極進行淋洗，50～70℃熱風中干燥5～15min，制得多功能防護膜層。

2.根據權利要求1所述的一種熱敏電阻銅電極多功能防護膜層的制備方法，其特征在于，步驟1)所述對半導體熱敏電阻陶瓷基體進行處理的方法如下：將基體先用0.05M HF刻蝕1～5min，再依次用鹽酸溶液和氨水溶液超聲清洗5～10min，最后用去離子水清洗、干燥。

3.根據權利要求1所述的一種熱敏電阻銅電極多功能防護膜層的制備方法，其特征在于，步驟2)所述對陶瓷基體進行射頻磁控濺射的工藝如下：將陶瓷基體置于射頻磁控濺射儀中，調節濺射功率為30～50W，加熱陶瓷基體至100～200℃，通入氬氣調節氣壓至1Pa，控制沉積時間制備銅薄膜0.3～1.0μm。

4.根據權利要求1所述的一種熱敏電阻銅電極多功能防護膜層的制備方法，其特征在于，步驟3)所述膠體溶液的制備工藝如下：將10～20g陽離子聚二烯基丙二甲基氯化銨聚合物固體緩慢加入至200mL去離子水中，在50℃恒溫水浴下持續攪拌直到完全溶脹成膠體溶液，用HCl和NaOH調節pH至6～8，繼續在室溫下攪拌10～20h，制成所述膠體溶液。

5.根據權利要求1所述的一種熱敏電阻銅電極多功能防護膜層的制備方法，其特征在于，步驟4)中，所述潤濕劑為乙二醇甲醚或乙二醇丁醚，所述增流劑為司盤85。