[發明專利]一種熱敏電阻用低擴散率的復合銅電極材料

有效

• 申請號: 201710871372.5
• 申請日: 2017-09-25
• 公開（公告）號: CN107818850B
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 汪洋;平德順
• 申請（專利權）人: 江蘇時恒電子科技有限公司
• 主分類號: H01C1/14
• 分類號: H01C1/14;H01C7/02;H01C7/04
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

本發明公開了一種熱敏電阻用低擴散率的復合銅電極材料。該復合銅電極材料，包括以下按重量份數計的組分：氧化銅24?38份，納米銅12?25份，泡沫銅3?38份，氮化硅1?4份，硬脂酸14?27份，改性玻璃粉1?3份，鈦酸鍶1?8份，聚氨酯24?38份，聚乙二醇45?63份，殼聚糖1?3份，氫化蓖麻油14?25份，C₁?C₅脂肪族羧酸銅2?20份，乙二醇苯醚1?4份。與現有技術相比，本發明復合銅電極材料導電性好，粘接性好，用此材料制備的電極用于電子器件上可延長器件的使用壽命。

技術領域

本發明屬于熱敏電阻制備領域，具體涉及一種熱敏電阻用低擴散率的復合銅電極材料。

背景技術

隨著深亞微米集成電路的不斷發展，器件尺寸的不斷降低，銅由于其電阻率比鋁低，以及高的抵抗電子遷移和應力遷移的能力，使其作為超大規模集成電路金屬互鏈接而被廣泛應用。但用銅互連的問題在于，低溫條件下，銅離子很容易擴散到硅和二氧化硅中，并且與他們發生反應生成銅硅化合物，嚴重影響到器件的電性能和可靠性。

申請號200810153637.9，名稱為熱敏電阻表面局部化學鍍制造良好歐姆接觸電極的方法，包括對前瓷體進行清洗、干燥、活化漿料的配制和印刷、高溫活化、鍍鎳、鍍銅、水洗、脫水、干燥和浸錫、測試等步驟；本發明在熱敏電阻局部金屬化的部位沉積一層具有良好歐姆接觸的鎳-銅復合電極，該電極結合力高，易于焊接，電性能指標均滿足技術要求；提高勞動生產率2倍以上，原料成本僅為原來的25％，特別適用于焊接型的PTC和NTC熱敏電阻電極的制造。但是該電極制備繁瑣，且長久使用，鍍層容易脫落，另外，銅-硅的擴散率仍存在難以降低概率。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種熱敏電阻用低擴散率的復合銅電極材料，該復合銅電極材料導電性好，粘接性好，用此材料制備的電極用于電子器件上可延長器件的使用壽命。

一種熱敏電阻用低擴散率的復合銅電極材料，包括以下按重量份數計的組分：氧化銅24-38份，納米銅12-25份，泡沫銅3-38份，氮化硅1-4份，硬脂酸14-27份，改性玻璃粉1-3份，鈦酸鍶1-8份，聚氨酯24-38份，聚乙二醇45-63份，殼聚糖1-3份，氫化蓖麻油14-25份，C₁-C₅脂肪族羧酸銅2-20份，乙二醇苯醚1-4份。

作為改進的是，上述熱敏電阻用低擴散率的復合銅電極材料，包括以下按重量份數計的組分：氧化銅35份，納米銅20份，泡沫銅26份，氮化硅1份，硬脂酸25份，改性玻璃粉3份，鈦酸鍶4份，聚氨酯30份，聚乙二醇55份，殼聚糖2份，氫化蓖麻油20份，C₀-C₅脂肪族羧酸銅18份，乙二醇苯醚3份。

作為改進的是，所述C₁-C₅脂肪族羧酸銅為C₅脂肪族羧酸銅。

作為改進的是，所述殼聚糖的分子量為2000-4000。

作為改進的是，所述改性玻璃粉的制備方法，包括以下步驟：取玻璃粉浸入多巴胺溶液中，低溫冷藏后，微波處理1-4min后，加入銅粉攪拌均勻后，400-500℃下燒結后磨碎，即可。

作為改進的是，玻璃粉和多巴胺溶液的固液比為1：2-4，多巴胺溶液的濃度為1-3mmol/L。

與現有技術相比，本發明復合銅電極材料導電能力強，制成的漿料流動性好，與陶瓷基底的粘接能力強，潤濕性好，且低溫下不易擴散。

具體實施方式

下面通過具體實施例對本發明作進一步詳細介紹。

實施例1