[發明專利]使用通孔使基板的前側連接至后側的顯示裝置

有效

• 申請號: 201710870186.X
• 申請日: 2017-09-22
• 公開（公告）號: CN107978619B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 沈鍾植;崔榮埈;金延燮
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;譚天

公開了使用通孔使基板的前側連接至后側的顯示裝置。本公開涉及包括發光元件的顯示裝置。本公開提出了一種平板顯示器，其包括：基板；設置在所述基板的第一表面上的驅動元件；設置在所述基板的第二表面上的有機發光二極管；從前表面到后表面穿透基板的通孔；以及填充通孔的用于使驅動元件連接至有機發光二極管的連接電極。

技術領域

本公開涉及一種包括發光元件的顯示裝置。具體地，本公開涉及一種平板顯示器，特別是其中有機發光二極管和薄膜晶體管分別設置在前表面和后表面上，并且有機發光二極管和薄膜晶體管經由從前表面穿透到后表面的通孔而連接的平板顯示器。

背景技術

現在開發了用于克服陰極射線管的許多缺陷諸如笨重且體積大的各種不同的平板顯示裝置。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置(或LCD)、場發射顯示器(或FED)、等離子體顯示面板(或PDP)和電致發光裝置(或EL)。

圖1是示出根據相關技術的具有諸如薄膜晶體管的有源開關元件的有機發光二極管顯示器的結構的平面圖。圖2是示出根據相關技術的沿圖1的切割線I-I’切割的有機發光二極管顯示器的結構的截面圖。

參照圖1和圖2，有機發光二極管顯示器包括薄膜晶體管(或“TFT”)基板和接合并面向TFT基板的蓋ENC，在其間具有有機粘合劑POLY，薄膜晶體管(或“TFT”)基板具有薄膜晶體管ST和DT以及連接至薄膜晶體管ST和DT并且由薄膜晶體管ST和DT驅動的有機發光二極管OLE。TFT基板包括開關薄膜晶體管ST、連接至開關薄膜晶體管ST的驅動薄膜晶體管DT和連接至驅動薄膜晶體管DT的有機發光二極管OLE。

在包括玻璃基板的透明基板SUB上，開關薄膜晶體管ST形成在掃描線SL與數據線DL彼此交叉處。開關薄膜晶體管ST用于選擇連接至開關薄膜晶體管ST的像素。開關薄膜晶體管ST包括從掃描線SL分支的柵電極SG、與柵電極SG交疊的半導體溝道層SA、源電極SS和漏電極SD。

驅動薄膜晶體管DT用于驅動由開關薄膜晶體管ST選擇的像素的陽極電極ANO。驅動薄膜晶體管DT包括連接至開關薄膜晶體管ST的漏電極SD的柵電極DG、半導體溝道層DA、連接至驅動電流線VDD的源電極DS，和漏電極DD。驅動薄膜晶體管DT的漏電極DD連接至有機發光二極管OLE的陽極電極ANO。

作為一個示例，圖2示出了頂柵結構的薄膜晶體管。在這種情況下，首先在基板SUB上形成開關薄膜晶體管ST和驅動薄膜晶體管DT的半導體溝道層SA和DA，并且柵極絕緣層GI覆蓋開關薄膜晶體管ST的半導體溝道層SA和驅動薄膜晶體管DT的半導體溝道層DA，然后通過與半導體溝道層SA和DA的中心部交疊來在柵極絕緣層GI上形成柵電極SG和DG。之后，在半導體溝道層SA和DA的兩側，源電極SS和DS以及漏電極SD和DD通過穿透絕緣層IN的接觸孔連接至半導體溝道層SA和DA。源電極SS和DS以及漏電極SD和DD形成在絕緣層IN上。

此外，在圍繞其中設置有像素區域的顯示區域的外部區域，排列有形成在掃描線SL的一端的柵極焊盤GP、形成在數據線DL的一端的數據焊盤DP、以及形成在驅動電流線VDD的一端的驅動電流焊盤VDP。鈍化層PAS被設置成覆蓋具有開關薄膜晶體管ST和驅動薄膜晶體管DT的基板SUB的整個上表面。

之后，形成的是露出柵極焊盤GP、數據焊盤DP、驅動電流焊盤VDP和驅動薄膜晶體管DT的漏電極DD的接觸孔。在基板SUB內的顯示區域上方，涂覆有平坦層PL。平坦層PL使基板SUB的上表面的粗糙度處于更加平滑的狀態，以在基板SUB的平滑且平坦的表面狀態上涂覆構成有機發光二極管的有機材料。

在平坦層PL上，陽極電極ANO形成為通過接觸孔中的一個接觸孔連接驅動薄膜晶體管DT的漏電極DD。另一方面，在顯示區域的不具有平坦層PL的外部區域處，形成的是通過接觸孔露出的分別連接至柵極焊盤GP的柵極焊盤電極GPT、連接至數據焊盤DP的數據焊盤電極DPT和連接至驅動電流焊盤VDP的驅動電流電極VDPT。在基板SUB上，堤部BA形成為覆蓋除了像素區域之外的顯示區域。