[發明專利]含氟基的二嵌段共聚物

有效

• 申請號: 201710868378.7
• 申請日: 2017-09-22
• 公開（公告）號: CN107868193B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 咸珍守;鄭連植;金善英;許允衡;李光國;宋承垣
• 申請（專利權）人: SK新技術株式會社;韓國科學技術院
• 主分類號: C08F293/00
• 分類號: C08F293/00;C08F212/08;C08F212/14
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王朋飛;張晶

本發明提供一種二嵌段共聚物，其包含具有由以下化學式1表示的重復單元的第一嵌段和具有由以下化學式2表示的重復單元的第二嵌段：[化學式1][化學式2]其中R₁?R₅、X₁?X₅、l、n和m如權利要求1所定義。

技術領域

本發明涉及具有優異的蝕刻選擇性并且能夠形成高質量的納米圖案(nanopatterns)的二嵌段共聚物。

背景技術

由于一直以來不斷要求具有高性能的元件的小型化和緊湊性，因此需要一種用于生產高密度納米圖案的技術，該技術通過進一步減小圖案(pattern)的間距(pitch)尺寸(例如，圖案的線寬(關鍵尺寸，CD))和圖案之間的間隔來在有限區域內完成更多的圖案。

作為用于形成納米圖案的一種方法，可以例舉以自上而下的方式進行的光刻技術。然而，由于光源的波長、光學系統的分辨率限制等，光刻技術在提高分辨率方面受到限制。

作為為克服光刻技術中的分辨率限制和開發下一代微加工技術而做出的努力之一，利用分子的自組裝、以自下而上的方式進行的定向自組裝(DSA，directed self-assembly)技術正在受到關注(第10-2016-0073408號韓國專利公開)。

與傳統的光刻技術相比，DSA技術具有相對簡單，能夠形成高密度圖案的優點，并且能夠通過嵌段共聚物的相分離形成周期性排列的結構，例如球形、圓柱形或薄片(lamella)形狀。

然而，迄今為止提出的嵌段共聚物在各嵌段之間的蝕刻選擇性相當低，從而破壞圖案，或者難以將圖案的線寬降低到一定水平以下，并且在LER(線邊緣粗糙度)、LWR(線寬粗糙度)等方面具有相當多的缺陷，從而降低了半導體裝置的質量。

因此，目前需要開發具有優異的蝕刻選擇性并且能夠最小化LER和LWR以形成高質量的納米圖案的嵌段共聚物。

相關技術文獻

專利文獻

第10-2016-0073408號韓國專利公開(2016年6月24日)

發明內容

本發明的實施方案涉及提供一種具有優異的蝕刻選擇性并且能夠最小化LER和LWR以形成高質量納米圖案的二嵌段共聚物。

在一個一般的方面，二嵌段共聚物包含具有由以下化學式1表示的重復單元的第一嵌段和具有由以下化學式2表示的重復單元的第二嵌段：

[化學式1]

[化學式2]

其中

R₁-R₄獨立地選自-H、具有1-10個碳原子的烷基、具有2-10個碳原子的烯基、具有2-10個碳原子的炔基、鹵素、氰基、具有1-10個碳原子的烷氧基、具有1-10個碳原子的烷硫基(alkylthio)、具有1-10個碳原子的烷基羰基(alkylcarbonyl)和具有2-10個碳原子的烯基羰基(alkenylcarbonyl)；