[發(fā)明專利]金屬內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710867909.0
• 申請(qǐng)日: 2017-09-22
• 公開（公告）號(hào): CN109545735B
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳世憲;王明俊;王廷鈞;張志圣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 藍(lán)槍半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/538
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作金屬內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的方法，包含：

提供一基底，該基底上設(shè)有一第一金屬間介電層；

形成一第一金屬內(nèi)連線以及一第二金屬內(nèi)連線于該第一金屬間介電層內(nèi)；

形成一第一遮蓋層于該第一金屬間介電層、該第一金屬內(nèi)連線以及該第二金屬內(nèi)連線上；

進(jìn)行一蝕刻制作工藝去除部分該第一遮蓋層以及部分該第一金屬間介電層以于該第一金屬內(nèi)連線以及該第二金屬內(nèi)連線之間形成一開口；

形成該開口后，進(jìn)行一固化制作工藝；

形成一第二遮蓋層于該第一遮蓋層、該第一金屬內(nèi)連線以及該第二金屬內(nèi)連線上；以及

形成一第二金屬間介電層于該第二遮蓋層上并同時(shí)形成一氣孔，其中該氣孔的頂點(diǎn)高于未接觸該第一遮蓋層的部分該第二遮蓋層的上表面，且低于設(shè)在該第一遮蓋層正上方的該第二遮蓋層的上表面。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該固化制作工藝包含一極紫外光固化制作工藝。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該第一遮蓋層以及該第二遮蓋層包含相同材料。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中該第一遮蓋層以及該第二遮蓋層包含氮摻雜碳化物層(nitrogen doped carbide,NDC)。

5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該第一遮蓋層以及該第二遮蓋層包含不同材料。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該第一遮蓋層包含氮摻雜碳化物以及該第二遮蓋層包含金屬氮化物。

7.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該氣孔是由該第二遮蓋層以及該第二金屬間介電層所環(huán)繞。

8.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該氣孔的頂點(diǎn)高于該第一金屬內(nèi)連線上表面。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一金屬內(nèi)連線上表面切齊該第一金屬間介電層上表面。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該固化制作工藝的溫度介于攝氏347度至攝氏424度。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該氣孔的頂點(diǎn)高于該第一遮蓋層的上表面。

12.一種金屬內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，包含：

基底，該基底上設(shè)有第一金屬間介電層；

第一金屬內(nèi)連線以及第二金屬內(nèi)連線設(shè)于該第一金屬間介電層內(nèi)；

第一遮蓋層，設(shè)于該第一金屬間介電層上；

第二遮蓋層，直接覆蓋于該第一金屬內(nèi)連線以及該第二金屬內(nèi)連線的上表面和側(cè)壁、該第一遮蓋層，以及該第一金屬內(nèi)連線與該第二金屬內(nèi)連線之間的該第一金屬間介電層的表面上；以及

氣孔，設(shè)于該第一金屬內(nèi)連線以及該第二金屬內(nèi)連線之間并被該第二遮蓋層環(huán)繞，其中該氣孔的頂點(diǎn)高于該第一金屬內(nèi)連線的上表面，并高于未接觸該第一遮蓋層的部分該第二遮蓋層的上表面，且低于設(shè)在該第一遮蓋層正上方的該第二遮蓋層的上表面。

13.如權(quán)利要求12所述的金屬內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中該第一遮蓋層以及該第二遮蓋層包含相同材料。

14.如權(quán)利要求13所述的金屬內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中該第一遮蓋層以及該第二遮蓋層包含氮摻雜碳化物層(nitrogen doped carbide,NDC)。

15.如權(quán)利要求12所述的金屬內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中該第一遮蓋層以及該第二遮蓋層包含不同材料。

16.如權(quán)利要求15所述的金屬內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中該第一遮蓋層包含氮摻雜碳化物以及該第二遮蓋層包含金屬氮化物。

17.如權(quán)利要求12所述的金屬內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，還包含一第二金屬間介電層設(shè)于該第二遮蓋層上。